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功率器件更加智能,高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展

  • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時(shí)間的推移,功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越...
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SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

  • 引言  隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)
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大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

  • 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-modepowersupplies,SMPS)的整...
  • 關(guān)鍵字: 功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動(dòng)  

汽車電子功率MOSFET解決方案

  • 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰?..
  • 關(guān)鍵字: 電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn),新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字: CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件

  • 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)宣布開發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品(如無線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車)中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET,以便加強(qiáng)公司的整個(gè)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍,其中3款新產(chǎn)品(包括N0413N)具有40V的電壓容差,而另外3款新產(chǎn)品(包括N0601N)具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平,是延長電池壽命的理性之選。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MOSFET  N0413N  

SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計(jì)  放大電路  

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進(jìn)展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到,到2030年,受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上,與此同時(shí),使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長足的進(jìn)展
  • 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體  MOSFET  

IR推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡(jiǎn)化選型和電路設(shè)計(jì)

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計(jì)師手冊(cè),內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊(cè)、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計(jì)技巧等。   IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器,能把AC 和 DC 負(fù)載和感測(cè)信號(hào)從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測(cè)試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
  • 關(guān)鍵字: IR  微電子繼電器  MOSFET  

完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本,設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路,以免器件發(fā)生故障,避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn),但是在更多情況下,設(shè)計(jì)人員使用完全
  • 關(guān)鍵字: 器件  分析  功率  MOSFET  保護(hù)  完全  

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET,為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
  • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  

IR日推出新車用MOSFET系列

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  

IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車用MOSFET

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: IR  柵級(jí)驅(qū)動(dòng)  MOSFET  

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

  • Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  
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