sic 文章進入sic技術社區(qū)

克服疫情，大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統在北理汽車研究院交付

_____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統，亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統。此系統集成了來自泰克的專門針對第三代半導體測試的硬件設備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會”上結成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業(yè)鏈的
關鍵字： Tektroni SiC 動態(tài)測試系統

ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制

半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實現低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
關鍵字： SiC GaN ROHM

羅姆SiC評估板測評：快充測試

一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產品，以后有對應設備
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究

感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標識。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

SiC MOSFET的橋式結構解析

本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

碳化硅MOSFET晶體管的特征

功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
關鍵字： SiC 碳化硅 SBD

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
關鍵字： SiC 碳化硅 SBD

SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
關鍵字：碳化硅 SiC SBD 肖基特二極管

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
關鍵字： SiC 碳化硅

什么是碳化硅？SiC的特性和特征

碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
關鍵字： SiC 碳化硅

ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

意法半導體（ST）作為全球領先的汽車半導體供應商之一，多年前就開始布局新能源汽車領域，在2019年正式成立新能源車技術創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā)，滿足ASIL D等級?；贏utoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利，大大縮短了整個研發(fā)周期。
關鍵字： SiC 碳化硅牽引逆變器

ST第三代碳化硅技術問世瞄準汽車與工業(yè)市場應用

電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現各種節(jié)能目標的具體數據，圖中是對全球電力消耗狀況的統計。僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
關鍵字： ST 碳化硅汽車工業(yè) SiC

ST：發(fā)展碳化硅技術關鍵在掌控整套產業(yè)鏈

電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
關鍵字： ST GaN SiC

共417條 14/28 |‹ « 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 » ›|

sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]