sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

一種基于FPGA 的嵌入式塊SRAM 的設(shè)計(jì)

摘　要：文章中提出了一種應(yīng)用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對(duì)所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行清零，且編程后為兩端口獨(dú)
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基于FPGA 的嵌入式塊SRAM 的設(shè)計(jì)

摘　要：文章中提出了一種應(yīng)用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對(duì)所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行清零，且編程后為兩端口獨(dú)立
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起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并模擬的方法

瑞薩電子開發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。該公司已在ldquo
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賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件

　　RAM業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲(chǔ)器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線，最高容量可達(dá)144Mbit，速度最快可達(dá)550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領(lǐng)了“綠色”網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)應(yīng)用的新潮流。　　
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基于位線循環(huán)充電SRAM模式的自定時(shí)電路設(shè)計(jì)

隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續(xù)增長(zhǎng)，使得高性能和低功耗設(shè)計(jì)已成為芯片設(shè)計(jì)的主流。在微處理器和SoC中，存儲(chǔ)器占據(jù)了大部分的芯片面積，而且還有持續(xù)增加的趨勢(shì)。這使存儲(chǔ)器中的字線長(zhǎng)度和位線長(zhǎng)度不斷增加，增加了延時(shí)和功耗。因此，研究高速低功耗存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)集成電路的發(fā)展具有重要意義。對(duì)SRAM存儲(chǔ)器的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行研究，在多級(jí)位線位SRAM結(jié)構(gòu)及工作原理基礎(chǔ)上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設(shè)計(jì)了基于位線循環(huán)充電結(jié)構(gòu)的雙模式自定時(shí)SRAM，其容量為8K×32 b。
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賽普拉斯72-Mbit SRAM受業(yè)界重視

　　SRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，全球領(lǐng)先的通訊設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)解決方案供應(yīng)商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機(jī)中選用了賽普拉斯的QDR?II+ (四倍速?) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場(chǎng)上最快的550MHz的時(shí)鐘頻率下工作，且擁有市場(chǎng)上最寬泛的產(chǎn)品選擇范圍，并能提供業(yè)界最多的參考設(shè)計(jì)。　　
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中興新型以太網(wǎng)交換機(jī)選用賽普拉斯的72-Mbit SRAM

普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布通訊設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)解決方案供應(yīng)商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機(jī)中選用了賽普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場(chǎng)上
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基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)

基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì),　1 前言　針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2 硬件設(shè)計(jì)　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù) 大容量 FPGA SRAM 基于

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用

　　同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)
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SRAM特點(diǎn)及工作原理

SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù).　　基本簡(jiǎn)介　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置
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賽普拉斯推出全球首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫?yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測(cè)試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。　　CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問(wèn)時(shí)間可達(dá)12ns。器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-B
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分析美光沖得那么快能堅(jiān)持多久？

　　編者點(diǎn)評(píng)：存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。它的特點(diǎn)起伏大，幾乎每十年有一次大的變動(dòng)及盈利一年要虧損2-3年。另一個(gè)是反映半導(dǎo)體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線會(huì)采用SRAM工藝來(lái)通線及會(huì)盡可能的采用最先進(jìn)工藝技術(shù)。另外存儲(chǔ)器的產(chǎn)值約占半導(dǎo)體的23%，但其投資會(huì)占到半導(dǎo)體的40-60%。盡管看似供求市場(chǎng)決定它的周期變化, 非常簡(jiǎn)單,然而實(shí)際上操作很難。所以韓，美包括臺(tái)灣地區(qū)都不會(huì)輕易退出此領(lǐng)域。中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng), 從長(zhǎng)遠(yuǎn)戰(zhàn)略看不該缺席存儲(chǔ)器。　　美光公司報(bào)道它的季度業(yè)績(jī)由虧損3億美元轉(zhuǎn)變到盈利9
關(guān)鍵字：美光存儲(chǔ)器 SRAM

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑制SRAM的最
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瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時(shí)，以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號(hào)：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達(dá)到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實(shí)現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。　　在So
關(guān)鍵字：瑞薩電子 SRAM CMOS

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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]