sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

賽普拉斯推出采用 65 納米工藝技術(shù)的 SRAM

　　賽普拉斯-SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司，日前宣布，該公司在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發(fā)的工藝技術(shù)。新型 SRAM 實(shí)現(xiàn)了目前市場(chǎng)上最快的 550 MHz時(shí)鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 80
關(guān)鍵字：賽普拉斯納米 SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出的三款SRAM新品

　　2009年4月8日，北京訊，日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市場(chǎng)上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長(zhǎng)高端銷售點(diǎn)終端、游戲應(yīng)用、VoIP 電話、手持消費(fèi)和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用的電池工作時(shí)間。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接，能充分滿足音頻處理、無線和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用
關(guān)鍵字： Cypress SRAM

基于SRAM的FPGA連線資源的一種可測(cè)性設(shè)計(jì)

本文提出在FPGA芯片內(nèi)插入多條移位寄存器鏈的方法，可使測(cè)試開關(guān)盒連線資源的時(shí)問比傳統(tǒng)的測(cè)試方法和已有的一種方法時(shí)間上減少了99％以上，大大降低了測(cè)試的時(shí)間，降低了測(cè)試成本，并且消耗的硬件面積比大約在5％左右，在可接受的范圍內(nèi)。
關(guān)鍵字： SRAM FPGA 資源可測(cè)性設(shè)計(jì)

MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用

　　微控制器環(huán)境要求在盡可能小的封裝里實(shí)現(xiàn)最多的通用I／O。存微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標(biāo)準(zhǔn)功能。但MIPS32 M4K內(nèi)核所具有的一些特點(diǎn)使其非常適用于微控制器應(yīng)用領(lǐng)域。這就涉及到本文重點(diǎn)討論的一個(gè)內(nèi)容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)功能。　　微控制器應(yīng)用需要僅用最少的接口邏輯就可以在處理器內(nèi)核和存儲(chǔ)系統(tǒng)之間實(shí)現(xiàn)緊密耦合。MIPS32M4K內(nèi)核SRAM接口就是一個(gè)比較完美的解決方案。　　
關(guān)鍵字：微控制器 I／O MIPS32 SRAM 接口

基于FPGA的mif文件創(chuàng)建與使用

　　1 引言　　在一些需要特殊運(yùn)算的應(yīng)用電路中，只讀存儲(chǔ)器ROM是關(guān)鍵元件，設(shè)計(jì)人員通常利用ROM創(chuàng)建各種查找表，從而簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，提高電路的處理速度和穩(wěn)定性。FPGA是基于SRAM的可編程器件。掉電后FPGA上的配置信息將全部丟失，所以由FPGA構(gòu)造的數(shù)字系統(tǒng)在每次上電后要依賴于外部存儲(chǔ)器來主動(dòng)配置或在線被動(dòng)配置。真正意義上的ROM應(yīng)具有掉電后信息不丟失的特性，因此利用FPGA實(shí)現(xiàn)的ROM只能認(rèn)為器件處于用戶狀態(tài)時(shí)具備ROM功能。使用時(shí)不必要刻意劃分，而ROM單元的初始化則是設(shè)計(jì)人員必須面對(duì)的問題。
關(guān)鍵字： FPGA ROM mit文件 SRAM

IBM已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM芯片

　　IBM周一宣布，已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM（靜態(tài)存儲(chǔ)器）單元。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SRAM芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗(yàn)新工藝的設(shè)備，速度更快、體積更小且技術(shù)更復(fù)雜，主要負(fù)責(zé)在數(shù)據(jù)被處理之前暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　IBM認(rèn)為SRAM芯片的生產(chǎn)是縮小整個(gè)微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高，并減少耗電。　　IBM希望，到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機(jī)構(gòu)副總裁陳博士表示：“隨著處理器內(nèi)核數(shù)量增多，人們對(duì)微處理器中存儲(chǔ)器的需求也在日漸增加。為
關(guān)鍵字： IBM SRAM 靜態(tài)存儲(chǔ)器 22納米

世界上最小的靜態(tài)存儲(chǔ)單元問世

　　8月18日，美國(guó)IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）等機(jī)構(gòu)共同宣布，世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)有效靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲(chǔ)單元。　　SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì)，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。　　新的研究工作是在
關(guān)鍵字： AMD SRAM IBM 存儲(chǔ)單元

基于ARM的嵌入式系統(tǒng)中從串配置FPGA的實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　ARM(Advanced RISC Machines)既可以認(rèn)為是一個(gè)公司。也可以認(rèn)為是對(duì)一類微處理器的統(tǒng)稱，還可以認(rèn)為是一項(xiàng)技術(shù)?；贏RM技術(shù)的微處理器應(yīng)用約占據(jù)了32位RISC微處理器75％以上的市場(chǎng)份額，ARM技術(shù)正在逐步滲入到人們生活的各個(gè)方面[1]。到目前為止，ARM微處理器及技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，包括工業(yè)控制領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、成像和安全產(chǎn)品等。　　FPGA(Field Programmable Gate Array)是一種高密度現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯器件，
關(guān)鍵字： ARM 嵌入式 FPGA SRAM

FPGA應(yīng)用愈加廣泛行業(yè)演進(jìn)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)

　　FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯器件）產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)從原來的通信擴(kuò)展到消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、測(cè)試測(cè)量等廣泛的領(lǐng)域。而應(yīng)用的變化也使FPGA產(chǎn)品近幾年的演進(jìn)趨勢(shì)越來越明顯：一方面，F(xiàn)PGA供應(yīng)商致力于采用當(dāng)前最先進(jìn)的工藝來提升產(chǎn)品的性能，降低產(chǎn)品的成本；另一方面，越來越多的通用IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）或客戶定制IP被引入FPGA中，以滿足客戶產(chǎn)品快速上市的要求。此外，F(xiàn)PGA企業(yè)都在大力降低產(chǎn)品的功耗，滿足業(yè)界越來越苛刻的低功耗需求。　　第一時(shí)間采用新工藝提升性能降低成本　　半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成度和成本
關(guān)鍵字： FPGA ASIC SRAM 低功耗

基于DSP的廣播級(jí)數(shù)字音頻延時(shí)器

　　音頻延時(shí)器可用于廣播電臺(tái)直播節(jié)目。它將音頻信號(hào)延時(shí)一段時(shí)間后播出,以避免主持人的口誤或聽眾熱線中聽眾的一些不健康言論通過廣播媒體傳播,從而實(shí)現(xiàn)直播節(jié)目的安全播出。作為廣播級(jí)設(shè)備,音頻延時(shí)器對(duì)動(dòng)態(tài)范圍、失真、信噪比和頻率響應(yīng)等性能指標(biāo)要求很高,因此一般采用數(shù)字技術(shù)。采用計(jì)算機(jī)內(nèi)置全雙工聲卡硬盤,可以以軟件方式實(shí)現(xiàn)音頻信號(hào)眨時(shí),但使用操作不方便,可靠性較差,性能價(jià)格比較低。本文提出的基于高精度∑-ΔADC和DSP芯片的廣播級(jí)數(shù)字音頻延時(shí)器,具有性能指標(biāo)高、操作簡(jiǎn)便、功能齊全等特點(diǎn),該設(shè)
關(guān)鍵字： DSP 音頻延時(shí)器 ADC SRAM

利用永久性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)智能汽車功能的全面調(diào)用

　　假設(shè)8個(gè)月前你駕車駛上了一個(gè)帶急轉(zhuǎn)彎的高速公路坡道。由于轉(zhuǎn)彎時(shí)速度太快，汽車自動(dòng)采取了主動(dòng)安全和懸掛措施來避免駛離道路。　　主動(dòng)安全措施包括汽車制動(dòng)、電子穩(wěn)定控制和安全帶的預(yù)拉。智能汽車可以記憶曾采取的主動(dòng)安全措施以及當(dāng)時(shí)的速度、GPS位置和軸承的情況。　　現(xiàn)在假設(shè)你的配偶正在前述坡道上駕車行駛，但這次是在下雨天。通過調(diào)用8個(gè)月前記憶的坡道位置和車輛軸承情況，以及了解當(dāng)前路況的濕滑程度，智能汽車能提前采取正確措施來防止汽車滑出坡道并撞上迎面而來的卡車。　　上述事例展示了全面調(diào)用(total
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器智能汽車 SRAM 導(dǎo)航電子穩(wěn)定控制

飛思卡爾與意法聯(lián)合開發(fā)車載微控制器

　　美國(guó)飛思卡爾半導(dǎo)體（FreescaleSemiconductor）上市了配備Power架構(gòu)CPU內(nèi)核“e200z0”的車用32bit微控制器的三個(gè)系列“MPC560xP”、“MPC560xS”及“MPC560xB”（英文發(fā)布資料）。這些產(chǎn)品均為與意法合資的意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）聯(lián)合開發(fā)。采用了90nm工藝技術(shù)制造。　　MPC560xP系列適用于汽車的底盤及安全控制。主要用
關(guān)鍵字：飛思卡爾意法半導(dǎo)體 MPC560xS SRAM CPU

高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲(chǔ)與傳輸控制邏輯設(shè)計(jì)

　　隨著信息科學(xué)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)采集和存儲(chǔ)技術(shù)廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、遙測(cè)遙感等領(lǐng)域。在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，由ADC轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，再進(jìn)行相應(yīng)的處理，保證快速準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)傳輸處理是實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集的一個(gè)關(guān)鍵。由于高速ADC的轉(zhuǎn)換率很高，而大容量RAM相對(duì)ADC輸出速度較慢，保持高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過程的可靠性、實(shí)時(shí)性是一個(gè)比較棘手的問題。對(duì)于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的大容量高速度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、傳輸，本文提出一種基于FPGA的多片RAM實(shí) 現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和傳輸?shù)姆桨福?yīng)用于1GS/s數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)了以低
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ) 傳輸 ADC SRAM RAM FIFO

瑞薩科技發(fā)布采用1MB片上SRAM的微控制器

　　近日，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產(chǎn)品型號(hào)，這些集成了1M字節(jié)片上SRAM的器件適用于數(shù)字音頻和圖形儀表盤應(yīng)用。樣品將從2008年8月開始在日本交付。　　作為SuperH*1 系列32位RISC微控制器/微處理器的組成部分，SH7262和SH7264屬于針對(duì)數(shù)字音頻應(yīng)用的SH7260系列微控制器。芯片上集成的1M字節(jié)SRAM，可以用來取代外部SDRAM。這將有助于實(shí)現(xiàn)主要采用單芯片的圖形儀表盤系統(tǒng)強(qiáng)大的
關(guān)鍵字：瑞薩科技 SRAM 微控制器數(shù)字音頻圖形儀表盤芯片

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者動(dòng)態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。
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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]