sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)

分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu)，通過CPLD來設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)大容量FIFO的方法。
關(guān)鍵字： SRAM DRAM FIFO 大容量

ATmegal28擴(kuò)展512KB掉電保護(hù)SRAM方案

　　如今，電子技術(shù)發(fā)展迅猛，尤其是單片機(jī)已廣泛地應(yīng)用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機(jī)器人制作等領(lǐng)域，產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高，且電路簡(jiǎn)單，故障率低，可靠性高，價(jià)格低廉。在單片機(jī)的某些應(yīng)用中，如果不對(duì)系統(tǒng)的外部SRAM進(jìn)行擴(kuò)展，就不能滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。因此如何擴(kuò)展、擴(kuò)展什么類型的芯片、擴(kuò)展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個(gè)問題解決的好與壞直接關(guān)系到項(xiàng)目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展掉電數(shù)據(jù)不丟失的512 KB SRAM的方案。　　1 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu) 　
關(guān)鍵字： ATmegal28 SRAM

TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設(shè)計(jì)

　　基于SRAM結(jié)構(gòu)的FPGA容量大，可重復(fù)操作，應(yīng)用相當(dāng)廣泛;但其結(jié)構(gòu)類似于SRAM，掉電后數(shù)據(jù)丟失，因此每次上電時(shí)都需重新加載。　　目前實(shí)現(xiàn)加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進(jìn)行數(shù)據(jù)加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機(jī)上運(yùn)行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內(nèi)，所以掉電數(shù)據(jù)仍然會(huì)丟失，只適用于FPGA調(diào)試階段而不能應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù)加載。　　后者雖然可以解決數(shù)據(jù)丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(zhǎng)(一般大于2個(gè)月)，使F
關(guān)鍵字： SRAM TMS320C61416 FPGA

鐵電存儲(chǔ)器1T單元C-V特性的計(jì)算機(jī)模擬

　　鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)具備可存儲(chǔ)大量資料的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會(huì)消失，亦具備快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲(chǔ)器(NVM)中，鐵電存儲(chǔ)器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲(chǔ)器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲(chǔ)，在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量，因而在提高性價(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢(shì)。　　為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲(chǔ)器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 SRAM NVM 存儲(chǔ)器

基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)

針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計(jì)。與一般布局的存儲(chǔ)器相比，采用這兩種技術(shù)使存儲(chǔ)器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
關(guān)鍵字： DBL 嵌入式系統(tǒng) SRAM 低功耗嵌入式

從過去到未來

如果你認(rèn)為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯(cuò)了，因?yàn)闆]有過去就不會(huì)有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡(jiǎn)單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
關(guān)鍵字： NVM SRAM DRAM

基于SRAM編程技術(shù)的PLD核心可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

本文針對(duì) CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu)：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設(shè)計(jì)了功能相近的基于SRAM編程技術(shù)的可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)。
關(guān)鍵字： SRAM PLD 編程技術(shù) 核心

用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

　　摘要：首先對(duì)采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長(zhǎng)偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法，并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）加密　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆
關(guān)鍵字：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）加密 MCU和嵌入式微處理器

單片機(jī)SRAM工藝的FPGA加密應(yīng)用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題通常，采用SRAM工藝的
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) SRAM FPGA 加密嵌入式

2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出32納米及以上工藝片上SOI SRAM前瞻技術(shù)

　　2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)中的片上SRAM。
關(guān)鍵字：瑞薩 SRAM Renesas

揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

　　存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長(zhǎng)，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM（只讀存儲(chǔ)器）技術(shù)，包
關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲(chǔ)器

瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)

　　瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(tǒng)(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。經(jīng)測(cè)試證實(shí)，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)，一個(gè)元
關(guān)鍵字： SRAM 瑞薩科技松下存儲(chǔ)器

新一代非易失性存儲(chǔ)器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

摘要：本文介紹了針對(duì)高端存儲(chǔ)應(yīng)用的最新非易失性存儲(chǔ)器NVSRAM。可以根據(jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域，市場(chǎng)熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲(chǔ)器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用
關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費(fèi)電子雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題　　通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計(jì)算機(jī)通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： FPGA SRAM 單片機(jī) 加密嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的SRAM

引言同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、包緩沖、隊(duì)列管理和存儲(chǔ)分配器。如今，人們對(duì)所有路由器和交換機(jī)的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫)搜索。計(jì)數(shù)器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數(shù)量，并獲取統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計(jì)來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱為NetFlow)，從而完成問題檢測(cè)和判定。隨著每個(gè)信息包處理量的增加，需要采用包
關(guān)鍵字： IPV6 SRAM 存儲(chǔ)器通訊網(wǎng)絡(luò) 無線存儲(chǔ)器

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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]