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工程師們心目中那永遠的十款王牌存儲器

　　在如今這工程師漫山遍野的年代，工程師已經(jīng)變得隨處可見、遍地都是，但我相信每個工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫類、只可讀類等等。同時存儲器在我們?nèi)粘Ｉ钪幸搽S處可見，每人必備的U盤、硬盤、光盤等等，所以作為工程師的我們必須關(guān)注下這十款經(jīng)典的存儲器。下面就為大家?guī)砉こ處焸冃哪恐心怯肋h的十款“王牌”存儲器。　　NO.1：24C16 火熱度：????? 　　一款非常
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全球存儲及觸摸感應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商賽普拉斯簽約世強合力開拓中國成長型新市場

　　前不久，全球高性能、混合信號、可編程解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商賽普拉斯(Cypress)簽下中國本土最具實力的分銷商世強(Sekorm)，由后者負責(zé)其全線產(chǎn)品包括PSoC®可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應(yīng)解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等在中國區(qū)的分銷業(yè)務(wù)。　　賽普拉斯全球分銷高級總監(jiān)Kamal Haddad表示很高興找到了值得信賴的分銷伙伴一起開拓市場，中國市場對賽普拉斯非常重要，世強將在開拓新市場的同時，直接支持新的設(shè)計，擴展客戶基礎(chǔ)并建立持續(xù)的合作關(guān)系。　　賽普拉斯198
關(guān)鍵字： Cypress Sekorm PSoC SRAM

基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計與實現(xiàn)

1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實時顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對大量數(shù)據(jù)進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結(jié)構(gòu)特點很好地適應(yīng)了這些要求，是傳統(tǒng)RAM無法達到的。許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來
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賽普拉斯加強在中國和韓國的分銷力量增加五家新代理商

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，已經(jīng)與中國及韓國的五家新代理商達成協(xié)議。即日起，中國的大豆科技、世強和利爾達，韓國的HB公司和STC公司將加入賽普拉斯的銷售隊伍。這些分銷合作伙伴將銷售賽普拉斯的全線產(chǎn)品，包括PSoC?可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應(yīng)解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等?！　≠惼绽谷蚍咒N高級總監(jiān)Kamal Haddad說：“我們很高興和這些值得信賴的合作伙伴一起拓展我們的分銷渠道。中國和韓國市場對于賽普拉斯來說非常重要，這五個合作伙伴將協(xié)助我們將各類產(chǎn)品滲透到新增的65個分
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賽普拉斯發(fā)布異步SRAM

　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準的數(shù)據(jù)可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設(shè)計并節(jié)省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費電子和汽車等應(yīng)用領(lǐng)域里的數(shù)據(jù)安全。　　背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內(nèi)容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯誤校正動作，無需用戶干預(yù)，因而具有業(yè)界最佳的軟錯誤(S
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一種采用分離柵極閃存單元實現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測試結(jié)構(gòu)

　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲器(NVM)替代SRAM?；贜VM的FPGA是嵌入式IP應(yīng)用的理想選擇，其架構(gòu)和許多增強功能可改善芯片集成度、IP使用率和測試時間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測方案。
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賽普拉斯推出QDR-IV SRAM用于下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備

　　靜態(tài)隨機存取存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，量產(chǎn)業(yè)界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量，可滿足下一代交換機和路由器的100-400?Gigabit線卡對隨機傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場上性能最高的標準網(wǎng)絡(luò)存儲器解決方案?！　τ诓粩嗵嵘木€卡和交換速率來說，RTR(每秒完整隨機存取次數(shù))是存儲器性能的重要指標。提升線卡速率的瓶
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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
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東芝產(chǎn)出從深度休眠模式快速喚醒的極低泄漏SRAM

　　東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)今天宣布，該公司已經(jīng)開發(fā)出適用于低功耗微控制器備用RAM的極低泄漏65納米靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)，它可以實現(xiàn)從深度休眠模式快速喚醒。　　東芝于2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)國際固態(tài)電路會議上公布了這一進展，此次大會在加州舊金山舉行。　　可穿戴式設(shè)備、醫(yī)療保健工具和智能電表等低功耗系統(tǒng)對較長的電池放電時間存在強勁需求。降低這些系統(tǒng)所使用微控制器的功耗存在許多挑戰(zhàn)，隨著工藝的升級換代，泄漏電流的
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基于FPGA動態(tài)可重構(gòu)技術(shù)的二模冗余MIPS處理器

現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array， FPGA)是基于SRAM的一種硬件電路可重配置電子邏輯器件，可通過將硬件描述語言編譯生成的硬件配置比特流編程到FPGA中，而使其硬件邏輯發(fā)生改變。
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富士通推出全新4 Mbit FRAM產(chǎn)品

2013年11月14日，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司宣布，推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝并且與標準低功耗SRAM兼容，因此能夠應(yīng)用在工業(yè)控制、辦公自動化設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及其他設(shè)備中，取代原有具備高速數(shù)據(jù)寫入功能的SRAM。
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基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計與實現(xiàn)

引言　　CMMB(China Mobile Multimedia BroADCasting)即中國移動多媒體廣播，是中國第一套具有自主知識產(chǎn)權(quán) ...
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Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程并不能完 ...
關(guān)鍵字： Cortex M3 SRAM 單元故障自檢測研究

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（二）

啟動匯編代碼　　;*********************************************************************　　; 匯編 ...
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（一）

使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行 ...
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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]