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SiC使通訊電源PFC設計更高效、更簡單

  • 　　通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡的關鍵基礎設施，是通信網(wǎng)絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示?！　?nbsp;   　　圖1：通訊電源機房　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：　　? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz　　? 輸出功率：2kw　　? 
  • 關鍵字： SiC  PFC  

英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅動產(chǎn)品陣容

  • 　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！　∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC-MOSFET  

SiC使通訊電源PFC設計更高效、更簡單

  • 　　通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡的關鍵基礎設施，是通信網(wǎng)絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。 　　通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。 　　   　　圖1：通訊電源機房 　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： 　　• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz 　　• 輸出功率：2kw 　　• 輸出：最大電壓1
  • 關鍵字： 世強  SiC  

SiC耐壓更高，適合工控和EV

  • 　　SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。 　　相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點。 　　現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯(lián)在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯(lián)，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

IEGT與SiC降低損耗

  • 　　東芝在工業(yè)領域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領域，這些領域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?！　|芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導入了“門級注入增強”技術以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”?！　|芝電子(中國)公司副董事長野村尚司　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
  • 關鍵字： IEGT  SiC  

SiC功率半導體接合部的自我修復現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命

  • 　　大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。 　　此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點，包
  • 關鍵字： SiC  功率半導體  

電源的六大酷領域及動向

  • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請部分領軍企業(yè)介紹了技術市場動向及新產(chǎn)品。
  • 關鍵字： SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數(shù)據(jù)中心  201604  

ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術吸引觀眾駐足

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產(chǎn)品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足及交流?！　?nbsp; 
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

“助攻”電源設計：900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng)新低！

  • 　　全球SiC領先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實現(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設備技術，是開關模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應用等的電源管理解決方案。 　　世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，
  • 關鍵字： 世強  SiC  

萊迪思推出用于可穿戴設備開發(fā)的ICE40 ULTRA平臺

  • 　　萊迪思半導體公司推出一款用于低功耗消費類可穿戴設備設計的開發(fā)平臺。該平臺基于iCE40 Ultra? FPGA，具備大量傳感器和外圍設備，是用于各類可穿戴設備設計的理想平臺。　　iCE40 Ultra FPGA相比其他可選的微控制器封裝尺寸減少60%。不僅如此，iCE40 Ultra FPGA還支持低功耗待機模式，適用于“永遠在線”功能，對于充一次電就要工作好幾天的可穿戴設備來說是最為理想的選擇?！　CE40 Ultra可穿戴設備開發(fā)平臺包含的硬件功能和傳感器包括1個1.54英寸顯示屏、MEMS麥克
  • 關鍵字： 萊迪思半導體  可穿戴設備  iCE40 Ultra  201601  

Bulk Si技術近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
  • 關鍵字： GaN  SiC  

ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展

  • 　　2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領先技術、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評。　　ROHM模擬電源“領銜”業(yè)內標準　　近年來，全世
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

e絡盟針對工業(yè)及消費電子領域供應Molex Ultra-Fit系列電源連接器

  • 　　e絡盟日前宣布供應Molex Ultra-Fit™系列高密度低插配力電源連接器。該系列小尺寸、高功率密度連接器的額定電流高達14A，同時引腳間距僅為3.5毫米，可消除相同電路尺寸錯誤插配的風險，優(yōu)化空間占比，并實現(xiàn)輕松組裝，適用于工業(yè)、電信、醫(yī)療及消費電子等應用領域。 　　談及電源連接器，各行各業(yè)都面臨著諸多挑戰(zhàn)，例如：電子產(chǎn)品設計空間受限，終端產(chǎn)品安裝面臨潛在失誤及應用故障等。而Molex Ultra-Fit 電源連接器具備的功能特性正好有利于解決這些難題，其中包括 　　&mid
  • 關鍵字： e絡盟  Ultra-Fit  

試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？

  • 　　2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎設施建設規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內充換電站數(shù)量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內的充電行業(yè)產(chǎn)生。 　　充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
  • 關鍵字： Cree  SiC   

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  
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