v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域。客戶也可利用此技術(shù)帶動串行外設(shè)接
關(guān)鍵字：中芯國際 NAND

iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量

　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達(dá)22%，成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價(jià)格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。　　DRAMeXchange
關(guān)鍵字：智能手機(jī) NAND

新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單

　　儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長潘健成表示，智慧手機(jī)市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。　　他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。　　潘健成表示，先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
關(guān)鍵字： NAND 控制晶片

東芝四日市新廠動土2015年起量產(chǎn)3D NAND

　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。　　由于智能型手
關(guān)鍵字：東芝 NAND

中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
關(guān)鍵字：中芯國際 NAND

東芝在閃存峰會上展示最新NAND和存儲產(chǎn)品

　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。閃存峰會是全球最大的閃存討論會，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。　　閃存峰會的展覽環(huán)節(jié)在會議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)：　　??? 企業(yè)級讀密集型
關(guān)鍵字：東芝 NAND 固態(tài)硬盤

匯聚中國移動行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商第二屆閃迪年度客戶研討會圓滿舉行

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來自移動設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會。本次活動于8月26日舉行，囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動互聯(lián)市場的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會邀請了移動行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
關(guān)鍵字：閃迪智能手機(jī) NAND

終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營收排行

今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達(dá)76.49億美元，季成長5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場表現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲

　　并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能?！　arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
關(guān)鍵字： Marvell 控制器 NAND

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

　　科研投資　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計(jì)算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬億日元，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè)，沒有國家的大力支持，沒有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入，那是美夢難圓的。　　半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長的要素之一，它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND IC 201405

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕，為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
關(guān)鍵字： NAND DRAM PC 201404

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
關(guān)鍵字： NAND DRAM