臺(tái)積電明年資本支出縮水

　　市場(chǎng)傳出臺(tái)積電明(2011)年資本支出還會(huì)再創(chuàng)新高，港商德意志證券半導(dǎo)體分析師周立中指出，據(jù)他了解，不會(huì)比今年高、約「僅」有50至55億美元，較今年少了7%至15%。不過，此數(shù)值還是比市場(chǎng)預(yù)估40至45億美元要高。

　　因此，周立中將臺(tái)積電2011與2012年資本支出預(yù)估值，分別調(diào)升至54與54億美元，合計(jì)2008至2011年總資本支出金額為159億美元，比2004至2007年的合計(jì)99億美元要高出63%。

　　周立中認(rèn)為，臺(tái)積電這幾年之所以大舉擴(kuò)增資本支出，主要原因有3項(xiàng)：一、日本國(guó)際整合組件大廠(IDM)增加委外代工訂單;二、各家廠商競(jìng)爭(zhēng)所造成的資本支出擴(kuò)增競(jìng)賽;三、45/40與28奈米制程需要更高的資本支出要求。

　　周立中認(rèn)為，因應(yīng)全球晶圓(GlobalFoudries)與三星電子的競(jìng)爭(zhēng)，臺(tái)積電為鞏固2011至2012年的市占率，必須增加資本支出，預(yù)估臺(tái)積電資本支出占營(yíng)收比重將由2010年的46%，降至2011年的38%與2012年的32%，與2004年該波景氣循環(huán)高點(diǎn)的32%差不多。

　　臺(tái)積電大幅擴(kuò)增資本支出的結(jié)果，勢(shì)必得犧牲股東權(quán)益報(bào)酬率(ROE)，周立中預(yù)估臺(tái)積電ROE可能會(huì)由2010年的28%，降到2011至2012年的 25%，但還略高于2004至2007年該波景氣循環(huán)平均值23%，只是價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)若趨激烈，ROE恐還有進(jìn)一步下修空間。

　　至于臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)近況，花旗環(huán)球證券半導(dǎo)體分析師徐振志指出，第四季營(yíng)運(yùn)狀況似乎比他原先想象的要好，因此，將第四季出貨下滑幅度由原先的9%縮小至2%，若再考慮匯率與產(chǎn)品組合，第四季營(yíng)收下滑幅度可望縮小至4%。