美光發(fā)布全新DDR3Lm內(nèi)存 主打低功耗

　　美光本周三發(fā)布了全新低功耗DDR3內(nèi)存解決方案--DDR3Lm，主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動市場。首批產(chǎn)品包括2Gb、4Gb兩種規(guī)格，宣稱可為移動產(chǎn)品帶來更長續(xù)航時間的同時，依然擁有不俗的性能和較高的性價比。

　　首先是2Gb DDR3Lm，相比標(biāo)準(zhǔn)2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗，待機(jī)狀態(tài)下功耗只有3.7mA IDD6，最高頻率可達(dá)1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝，以進(jìn)一步優(yōu)化功耗以及性能，非常適合于超輕薄筆記本電腦及平板電腦等移動產(chǎn)品。

　　美光DRAM市場部副總裁Robert Feurle表示，對于目前快速發(fā)展超輕薄移動市場來說，低功耗的作用尤為凸顯。而美光在傳統(tǒng)PC內(nèi)存上已經(jīng)積累了很多經(jīng)驗，這些都為消費(fèi)者提供了高性能 以及高性價比的產(chǎn)品。而正是我們向消費(fèi)者提供的承諾以及在內(nèi)存技術(shù)擁有的領(lǐng)先地位帶來了這款成功的30nm工藝產(chǎn)品。

　　目前，美光已經(jīng)拿出了DDR3Lm內(nèi)存的樣品，預(yù)計會在2012年第2季度大規(guī)模量產(chǎn)，而Intel也已經(jīng)準(zhǔn)備對此產(chǎn)品提供支持，并將會鼓勵其合作伙伴在基于Atom的平板點(diǎn)電腦和超輕薄本上使用DDR3Lm內(nèi)存。

　　負(fù)責(zé)Intel內(nèi)存管理經(jīng)理Geof Findley也表示，目前的計算越來越移動化，低功耗和更長的續(xù)航時間對于用戶來說也越來越有價值，而這也是未來內(nèi)存的正確方向。