美光發(fā)布新款內(nèi)存：30nm工藝 用于超輕薄設(shè)備

 　　三星昨日宣布量產(chǎn)面向下一代智能手機和平板機等便攜設(shè)備的3xnm 2GB LPDDR3內(nèi)存芯片，美光今天也宣布了另外一種DDR3內(nèi)存的登場：30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經(jīng)開始批量供應(yīng)，主要針對超極本、平板機等超輕薄計算設(shè)備。

　　DDR3L-RS此前被稱作DDR3Lm，是對DDR3L規(guī)格的進一步優(yōu)化，通過降低自我刷新耗電量(IDD6)來降低整體功耗，電壓為標準的1.35V，同時保持與標準DDR3相同的性能、質(zhì)量和可靠性，運行頻率667/800MHz。

　　IHS iSuppli認為這是一種非常出色的內(nèi)存規(guī)格，預計會有不少超輕薄平臺采納它。

　　美光的首批DDR3L-RS內(nèi)存芯片采用30nm工藝制造，F(xiàn)BGA封裝，單顆容量2Gb(128Mb×16/256Mb×8)、4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)，已經(jīng)率先通過了Intel 7/C216系列芯片組、Ivy Bridge Core i7系列處理器新平臺的各方面測試。

　　美光還在試產(chǎn)更大容量的8Gb DDR3L-RS，分為256Mb×32、512Mb×16兩種規(guī)格，運行頻率800MHz，預計今年12月份正式投產(chǎn)。

　　明年年初，我們則會看到基于下一代DDR4內(nèi)存規(guī)格的新型DDR4-RS。