臺(tái)積電2017追上英特爾 不只是放狠話
臺(tái)積電共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義昨(22)日表示,臺(tái)積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年,即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程。為了滿足客戶需求,臺(tái)積電已決定加快研發(fā)腳步,“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”,時(shí)間點(diǎn)就落在2017年。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/144562.htm臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在日前法說(shuō)會(huì)中宣布,今年資本支出拉高至95~100億美元,且16納米FinFET制程要提前一年量產(chǎn)。主掌臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)的蔣尚義昨天則說(shuō)明,加快16納米量產(chǎn),是因?yàn)榭蛻魧?duì)此有強(qiáng)烈需求。
蔣尚義表示,臺(tái)積電明年開(kāi)始進(jìn)入20納米單芯片(SoC)制程量產(chǎn),16納米FinFET制程理論上應(yīng)該是20納米量產(chǎn)的2年后才會(huì)導(dǎo)入,不過(guò),這只是特例而非常態(tài),主要是英特爾已成為臺(tái)積電的間接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
蔣尚義表示,過(guò)去英特爾要生產(chǎn)處理器,所以半導(dǎo)體制程一直是最先進(jìn)的,但現(xiàn)在英特爾搶進(jìn)行動(dòng)裝置市場(chǎng),臺(tái)積電很多客戶都開(kāi)始要跟英特爾競(jìng)爭(zhēng),也因此,客戶要臺(tái)積電加快研發(fā)速度,臺(tái)積電當(dāng)然從善如流,加快制程的微縮時(shí)程,才不會(huì)讓客戶失去競(jìng)爭(zhēng)力。
根據(jù)臺(tái)積電目前規(guī)劃,2014年開(kāi)始導(dǎo)入20納米SoC制程量產(chǎn),2015年導(dǎo)入16納米FinFET制程量產(chǎn),但后續(xù)的10納米量產(chǎn)時(shí)間,仍將在16納米量產(chǎn)之后2年才會(huì)導(dǎo)入,也就是2017年臺(tái)積電將進(jìn)入10納米世代,且可望首度采用先進(jìn)的極紫外光(EUV)微影技術(shù)。
蔣尚義表示,為了滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求,臺(tái)積電已集結(jié)了開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)中的各供應(yīng)商,投入龐大資源加速制程推進(jìn)速度,“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”。
英特爾的制程推進(jìn)仍依循摩爾定律,2014年14納米將進(jìn)入量產(chǎn)階段,2016年后則導(dǎo)入10納米量產(chǎn),由此來(lái)看,若臺(tái)積電能在2015年以10納米量產(chǎn)投片,的確已追趕上英特爾。
臺(tái)積電及英特爾均參加了微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)的“客戶聯(lián)合投資專案”,共同開(kāi)發(fā)EUV微影技術(shù),近期研發(fā)上已有所突破。ASML指出,EUV光源功率已提升到55W,每小時(shí)可處理43片晶圓,10納米世代可望開(kāi)始導(dǎo)入EUV技術(shù)。
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