應(yīng)材、科磊 與漢微科爭(zhēng)鋒

　　隨著臺(tái)積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代，設(shè)備廠也展開(kāi)新一波的搶單計(jì)劃。

　　在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡(DR SEM)技術(shù)后，另一設(shè)備大廠科磊(KLA Tencor)21日宣布，同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠已搶進(jìn)臺(tái)積電及英特爾供應(yīng)鏈，對(duì)于國(guó)內(nèi)設(shè)備廠漢微科來(lái)說(shuō)競(jìng)爭(zhēng)壓力大增。

　　雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)下半年景氣能見(jiàn)度不高，但是包括臺(tái)積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大廠，仍積極投入擴(kuò)充新產(chǎn)能，尤其是明年將相繼跨入20納米，后年則會(huì)進(jìn)入16納米或14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)世代，也因此，國(guó)內(nèi)外設(shè)備大廠已積極布局爭(zhēng)取商機(jī)。

　　在晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)上，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠漢微科靠著電子束檢測(cè)設(shè)備打響名號(hào)，現(xiàn)在已經(jīng)打入臺(tái)積電、三星、英特爾等大廠供應(yīng)鏈。由于缺陷檢測(cè)攸關(guān)制程良率的提升速度，國(guó)際大廠如應(yīng)用材料、科磊等，也已在光學(xué)及電子束檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)推出新一代產(chǎn)品，同樣也獲得臺(tái)積電、英特爾等大廠青睞及采用。

　　應(yīng)用材料已在其SEMVision系列設(shè)備上，推出一套最新缺陷檢測(cè)及分類技術(shù)，該設(shè)備的缺陷分析系統(tǒng)結(jié)合前所未有高分辨率、多維影像分析功能，及革命性創(chuàng)新的Purity自動(dòng)化缺陷分類(ADC)系統(tǒng)高智能的機(jī)器學(xué)習(xí)算法，同時(shí)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡技術(shù)，并可支持到10納米制程。

　　科磊昨日在科技論壇中宣布推出采用NanoPoint技術(shù)的光學(xué)晶圓缺陷檢測(cè)平臺(tái)及新型eDR-7100電子束晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。科磊兩此大平臺(tái)可以相互支持，可以迅速發(fā)現(xiàn)和可靠識(shí)別影響良率的缺陷，透過(guò)缺陷偵測(cè)并成像位于3D或垂直結(jié)構(gòu)如FinFET底部的獨(dú)特缺陷，在最短時(shí)間內(nèi)拉高制程良率。

　　法人表示，雖然漢微科在各大半導(dǎo)體廠的電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)占有率仍高，但應(yīng)用材料及科磊大動(dòng)作進(jìn)行卡位，尤其在現(xiàn)有光學(xué)缺陷檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)上增加支持，降低晶圓廠成本，的確會(huì)對(duì)漢微科造成競(jìng)爭(zhēng)壓力。