道康寧加盟EV集團(tuán)開(kāi)放平臺(tái)

　　全球MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)晶圓鍵合及光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(tuán)(EVG)日前宣布，道康寧公司已加入該集團(tuán)的“頂尖技術(shù)供應(yīng)商”網(wǎng)絡(luò)，為其室溫晶圓鍵合及鍵合分離平臺(tái)——LowTemp™平臺(tái)的開(kāi)發(fā)提供大力支持。道康寧是全球領(lǐng)先的有機(jī)硅及硅技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)，此次加盟EVG這個(gè)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)堪稱此前雙方緊密合作的延續(xù)，之前的合作包括對(duì)道康寧的簡(jiǎn)便創(chuàng)新雙層臨時(shí)鍵合技術(shù)進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試。今年7月，EVG推出全新的LowTemp公開(kāi)平臺(tái)，并宣布擴(kuò)大其全球材料供應(yīng)鏈，以加速其高端三維集成電路 (3D-IC)封裝業(yè)務(wù)的發(fā)展。

　　EV集團(tuán)業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)總監(jiān)Thorsten Matthias博士表示：“道康寧是全球先進(jìn)有機(jī)硅技術(shù)及專業(yè)技能方面的領(lǐng)導(dǎo)者，他們的加入無(wú)疑將使我們的這個(gè)臨時(shí)晶圓鍵合/鍵合分離材料開(kāi)放平臺(tái)錦上添花。他們的合作方式和優(yōu)秀原材料能幫助我們開(kāi)發(fā)出創(chuàng)新而又具有成本效益的臨時(shí)鍵合解決方案，為我們的客戶在室溫下采用傳統(tǒng)生產(chǎn)方式進(jìn)行活性及載體晶圓的鍵合與鍵合分離提供了更多選擇。

　　EVG的LowTemp™臨時(shí)鍵合/鍵合分離(TB/DB)平臺(tái)具有三種不同的室溫下晶圓鍵合分離工藝——紫外(UV)激光分離、多層粘合劑分離以及ZoneBOND^®技術(shù)——它們都可用于大批量生產(chǎn)。

　　道康寧的雙層TB/DB有機(jī)硅技術(shù)包含一個(gè)粘合劑層和一個(gè)脫離層，從而能夠在室溫下實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的臨時(shí)鍵合與鍵合分離，并在總體厚度變化較小的情況下表現(xiàn)出最佳的使用性能，因此非常適合EV集團(tuán)的平臺(tái)。此外，當(dāng)工藝要求在300° C的高溫下，它還具有出色的耐化學(xué)性和熱穩(wěn)定性。

　　通過(guò)此次將道康寧列為其開(kāi)放材料平臺(tái)的合格供應(yīng)商，EV集團(tuán)的TB/DB技術(shù)實(shí)力將大大增強(qiáng)，全球供應(yīng)鏈也將得到大大拓展。此非獨(dú)占協(xié)議的簽訂將使雙方得以聯(lián)手為先進(jìn)半導(dǎo)體封裝行業(yè)提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的TB/DB解決方案，為3D-IC封裝應(yīng)用的大規(guī)模生產(chǎn)提供支持。

　　道康寧先進(jìn)半導(dǎo)體材料全球行業(yè)總監(jiān)Andrew Ho表示：“此次雙方在3D-IC封裝和穿透硅通孔(TSV)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域達(dá)成合作，無(wú)論對(duì)于道康寧，對(duì)EV集團(tuán)，還是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)說(shuō)都是一個(gè)重要的里程碑。這不僅是對(duì)道康寧簡(jiǎn)便室溫TB/DB技術(shù)的一次重要驗(yàn)證，更將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)EV集團(tuán)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的規(guī)模生產(chǎn)開(kāi)放平臺(tái)的商業(yè)化。不僅如此，這項(xiàng)技術(shù)也是新一代微電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D-IC封裝工藝集成的一項(xiàng)重大進(jìn)步。”

　　3D-IC集成技術(shù)通過(guò)將水平芯片結(jié)構(gòu)疊層組裝到垂直架構(gòu)中，可大大提高微型電子設(shè)備的形狀因數(shù)(芯片尺寸)、帶寬(芯片晶體管密度)以及功能性。但是，要實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)革命性的新技術(shù)首先需要簡(jiǎn)便經(jīng)濟(jì)的TB/DB解決方案將活性晶圓片鍵合到更厚的載體晶圓上，該技術(shù)能使活性晶圓的厚度減少到50 µm甚至更低，并通過(guò)穿透硅通孔(TSV)技術(shù)實(shí)現(xiàn)垂直方向芯片之間的相互連接。

　　EV集團(tuán)將參加本周在臺(tái)北舉行的“國(guó)際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan)”，屆時(shí)歡迎對(duì)EVG最新晶圓鍵合以及其他加工解決方案感興趣的媒體朋友和業(yè)內(nèi)分析師前往臺(tái)北世界貿(mào)易中心南港展覽館416號(hào)展位，或參加公司在展會(huì)期間的技術(shù)推介活動(dòng)。9月4日15:30～ 16:00，公司技術(shù)開(kāi)發(fā)及IP總監(jiān)Markus Wimplinger先生將在TechXPOT作題為“如何使用LowTemp™鍵合分離技術(shù)低成本地處理晶圓薄片” 的論文演講。Wimplinger先生還將于9月5日15:10～ 15:40在展會(huì)期間的MEMS論壇上發(fā)表題為“晶圓鍵合技術(shù)在大規(guī)模消費(fèi)MEMS應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)”的演講。