全球半導(dǎo)體搶攻7納米 各大廠商表現(xiàn)大不同

　　在全球晶圓代工廠積極搶攻 7 納米先進(jìn)制程，都想在 7 納米制程領(lǐng)域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營(yíng)臺(tái)積電 (TSMC) 、三星、以及由 IBM 提供協(xié)助的格羅方德 (GlobalFoundries) 誰最后終將出線，結(jié)果將牽動(dòng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的生態(tài)。

　　根據(jù)外媒表示： 2016 年晶圓代工的主流制程是 14 及 16 納米的 FinFET 制程，其主要業(yè)者包含了英特爾 (Intel) 、臺(tái)積電及三星 / 格羅方德三大陣營(yíng)，而且戰(zhàn)場(chǎng)延伸到下一代 10 納米先進(jìn)制程，同樣的此三大陣營(yíng)都宣布將在 2017 年量產(chǎn)。不過，由于 10 納米制程主要針對(duì)低功耗移動(dòng)芯片的生產(chǎn)。因此，更先進(jìn)一代的 7 納米才被認(rèn)為是首次突破 10 納米極限的高性能先進(jìn)制程，而也是三方爭(zhēng)搶的重點(diǎn)。

　　目前，臺(tái)積電及三星都準(zhǔn)備在 7 納米先進(jìn)制程上搶先發(fā)，而在此前缺席了的格羅方德這一次決定擺回劣勢(shì)，誓言在 7 納米制程領(lǐng)先。不過，過往在 14 納米及 10 納米都有參與的英特爾，在 7 納米制程上表態(tài)很謹(jǐn)慎。因?yàn)橐c臺(tái)積電與三星競(jìng)爭(zhēng) 3 個(gè)世代以上的制程，使得英特爾的 7 納米制程至少要等到 2020 年才有機(jī)會(huì)量產(chǎn)。但是，相對(duì)于英特爾而言，臺(tái)積電和三星就顯得積極許多。

　　在三星的部分，前不久投資鉅資購(gòu)入了 EUV 光刻機(jī)，希望在 2017 年開始試產(chǎn) 7 納米制程，而臺(tái)積電則是透過 CEO 劉德音表態(tài)指出，7 納米制程的 SRAM 良率已經(jīng)達(dá) 30% 到 40% ，將會(huì)是業(yè)界首家通過 7 納米制程認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。至于，過去在 14 納米制程時(shí)代，進(jìn)度落后三星及臺(tái)積電的格羅方德，雖放棄自行研發(fā) 14 納米制程技術(shù)，改轉(zhuǎn)而選擇了三星 14 納米的 FinFET 制程技術(shù)授權(quán)。不過，2014 年在收購(gòu)了 IBM 的晶圓廠業(yè)務(wù)之后，格羅方德希望急起直追，在 7 納米制程上拔的頭籌。

　　據(jù)了解，格羅方德在收購(gòu) IBM 的晶圓廠業(yè)務(wù)中獲得了大量有經(jīng)驗(yàn)的員工，這對(duì)推動(dòng)新制程研發(fā)很有幫助。而且，2015 年 7 月份，格羅方德聯(lián)合 IBM 、三星及紐約州立大學(xué)已經(jīng)率先推出了 7 納米制程，使得格羅方德逐漸成為一股在晶圓代工業(yè)務(wù)上不可忽視的力量。日前格羅方德的CTO，高級(jí)副總經(jīng)理 Gary Patton 表示，他們的 7 納米制程進(jìn)展已經(jīng)積極的縮減了新制程的門檻距離。

　　Patton 表示，目前格羅方德在紐約州馬爾他市的晶圓廠正在量產(chǎn) 14 納米制程，這為他們開發(fā)更先進(jìn)的工藝奠定了基礎(chǔ)。而對(duì)于 7 納米制程，Patton 表示即便沒有 EUV 工藝，他們的新制程也能降低晶圓成本。按照 Patton 的預(yù)計(jì)，格羅方德的 EUV 制程預(yù)計(jì)會(huì)在 2018 年或 2019 年會(huì)少量投產(chǎn)，并且于 2020 年正式量產(chǎn)。