SEMI：SMIC、XMC領(lǐng)跑中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能投資

　　SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))的全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)報(bào)告指出，2015 年晶圓代工業(yè)整體產(chǎn)能已超越存儲(chǔ)器，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中最大的部門，并且在未來(lái)幾年可望持續(xù)領(lǐng)先。預(yù)料晶圓代工產(chǎn)能每年將成長(zhǎng) 5%，超越業(yè)界整體表現(xiàn)，晶圓代工產(chǎn)能到 2017 年底預(yù)計(jì)將達(dá)到每月 600 萬(wàn)片(8 吋約當(dāng)晶圓)。

　　臺(tái) 灣的晶圓代工產(chǎn)能居全球之冠，其中 12 吋的產(chǎn)能占全球晶圓代工產(chǎn)能比重 55% 以上。臺(tái)積電與聯(lián)電是臺(tái)灣晶圓代工產(chǎn)能的兩大主要推手。臺(tái)積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準(zhǔn)備迎接 10 納米以下制程產(chǎn)能。聯(lián)電則持續(xù)擴(kuò)充 28 納米產(chǎn)能，十二 A 廠第五期也準(zhǔn)備投入 14 納米制程。

　　另一方面，晶圓代工產(chǎn)能全球第二的中國(guó)則是成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。2015 年中國(guó)整體晶圓代工產(chǎn)能為每月 95 萬(wàn)片，預(yù)計(jì)到了 2017 年底將增至每月 120 萬(wàn)片，占全球晶圓代工產(chǎn)能將近 20%。

　　中 國(guó)晶圓代工龍頭中芯國(guó)際(SMIC)目前正致力提升北京 B1 廠和上海八廠(兩者均為 12 吋廠)等既有廠房的產(chǎn)能。同時(shí)該公司也正在提升新成立的北京 B2 廠(12 吋)與深圳十五廠(8 吋)產(chǎn)能。中芯的擴(kuò)充計(jì)劃同時(shí)包含了先進(jìn)的 28 納米/40 納米產(chǎn)能，以及技術(shù)成熟的 8 吋晶圓制程。其他擴(kuò)大產(chǎn)能的業(yè)者還包括武漢新芯(XMC)，旗下 A 廠產(chǎn)能將持續(xù)投入 NOR 快閃存儲(chǔ)器代工業(yè)務(wù);上海華力(Huali)也即將成立第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)明年動(dòng)工，2018 下半年起可望開始投注產(chǎn)能。

　　未來(lái)幾年，臺(tái)灣的晶圓代工業(yè)者也將對(duì)中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能有所貢獻(xiàn)。今年稍晚聯(lián)電位于廈門的 12X 廠將開始投產(chǎn)，2017 年有力晶合肥廠，臺(tái)積電南京廠則將在 2018 年上線。這三處廠房全面投產(chǎn)后，將帶來(lái)每月至少 11 萬(wàn)片(12 吋)晶圓的產(chǎn)能。

　　除了增加產(chǎn)能，先進(jìn)制程的技術(shù)競(jìng)賽也特別激烈。臺(tái)積電、三星(Samsung)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)都想在 10 納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)取得領(lǐng)先地位。技術(shù)的演進(jìn)將帶動(dòng)晶圓代工業(yè)者在未來(lái)幾年內(nèi)持續(xù)投資，其中又以臺(tái)灣與中國(guó)為最。

　　SEMI 臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，“2016 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定成長(zhǎng)，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)成長(zhǎng)速度更是優(yōu)于全球，尤其晶圓代工廠在制程創(chuàng)新、增加新產(chǎn)能以及設(shè)備投資方面都將領(lǐng)先其他廠商，也代表臺(tái)灣在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中持續(xù)扮演技術(shù)與產(chǎn)能的領(lǐng)頭羊角色。”