三星主攻HBM、英特爾集中eDRAM 跳脫存儲器頻寬限制
挹注次世代存儲器半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限,正各自尋找解決方法。三星專注于研發(fā)高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術(shù),英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201607/294312.htm據(jù)Digital Times報導(dǎo),英特爾預(yù)計2017年推出的次世代芯片Kaby Lake,將采用14納米FinFET制程,搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM,內(nèi)建于CPU Die,扮演提升系統(tǒng)快取(Cache)處理容量和速度的角色。
英特爾過去3年間在CPU芯片內(nèi)部設(shè)計實驗性運用eDRAM,現(xiàn)開始成為英特爾的核心策略。eDRAM過去主要應(yīng)用在圖形處理器(GPU),英特爾2015年推出第6代處理器Skylake,配備eDRAM提升圖形處理效能。
韓國半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為,銷售通用DRAM的三星、SK海力士(SK Hynix),對英特爾的嘗試感到緊張。CPU和GPU性能每年飛躍性提升,存儲器性能的進(jìn)展速度相對較緩慢。
目前最普遍的DRAM規(guī)格DDR模組可發(fā)揮的最大頻寬理論上是10Gbps,2018年后可量產(chǎn),反觀處理器早已超過100Gbps水準(zhǔn)。韓國半導(dǎo)體業(yè)界專家將此稱為處理器和存儲器間的瓶頸,或存儲器的障壁。
存儲器業(yè)界霸主三星為解決問題,正著手研發(fā)次世代存儲器。2015年三星成功研發(fā)10納米制程SRAM,2016年將提升SRAM技術(shù),將10納米制程DRAM推向可量產(chǎn)階段。該SRAM比起先前三星發(fā)表的14納米SRAM,Cell面積縮減37.5%,性能、功耗方面都有改善。
目前半導(dǎo)體業(yè)界僅三星可生產(chǎn)的HBM2產(chǎn)品,應(yīng)用范圍也正不斷拓寬。GPU搭載的HBM產(chǎn)品,近來如惠普(HP)、IBM等整合CPU和GPU架構(gòu)伺服器用處理器的業(yè)者增加,銷售額也迅速攀升。
近來半導(dǎo)體業(yè)者加速投資次世代存儲器技術(shù)的理由,是CPU和存儲器的瓶頸現(xiàn)象終將成為拓展IT市場需求的絆腳石。對存儲器業(yè)者來說,未來2~3年是最重要的轉(zhuǎn)捩點。
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