解析三星/美光/ST/IBM在相變存儲器領(lǐng)域的布局

　　2015年國內(nèi)集成電路市場超10000億，其中存儲器的市場總額(包括邏輯芯片中的存儲器)超過6100億元，市場空間巨大。

　　存儲器領(lǐng)域的基本類型

　　存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH)，NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。在整個(gè)存儲器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

　　DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達(dá)到 90%以上。從 Nand FLASH 市場來講，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市場份額很大。整個(gè)存儲器芯片里面，三星所占市場份額是最大的，目前在市場上主導(dǎo)地位的是閃存(flash memory)。當(dāng)工藝線寬小于 16nm 的時(shí)候，傳統(tǒng)閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于 16nm 時(shí)，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲器單層的厚度。2、當(dāng)然那還有構(gòu)造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數(shù)。

　　三星

　　2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲器芯片; 2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片;2012 年基于 20nm 工藝制備 8Gb 相變存儲器芯片;2014 年發(fā)布相變存儲器的產(chǎn)業(yè)報(bào)告。

　　三星在相變存儲器領(lǐng)域的布局

　　美光

　　2009 年基于 45nm 工藝制備1Gb 相變存儲器芯片; 2011 年發(fā)布第一款基于相變存儲器的 SSD;2013 年基于 45nm 工藝 1Gb 相變存儲器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);2015 年聯(lián)合 Intel發(fā)布 3D Xpoint。

　　美光在相變存儲器領(lǐng)域的布局

　　意法半導(dǎo)體

　　2009 年聯(lián)合恒億共同發(fā)布 90nm 工藝 4Mb 嵌入式相變存儲器芯片;2010 年，發(fā)布了通過材料改性工程 N-GeTe 實(shí)現(xiàn)更好的熱穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)保持;2013 年，發(fā)布了通過材料改性工程 N-Ge-GST實(shí)現(xiàn) SET與高低組保持的性能平衡。

　　意法半導(dǎo)體在相變存儲器領(lǐng)域的布局

　　IBM

　　2011 年 IBM發(fā)布了多值的相變存儲器操作算法，然后推出了基于 MIEC 材料選通的多層crosspoint存儲器。 2014年IBM發(fā)布了6位多值存儲電阻漂移的算法解決辦法， 2016年發(fā)布多值相變存儲器，進(jìn)入 90nm 工藝。

　　IBM在相變存儲器領(lǐng)域的布局

　　國際其他產(chǎn)家，包括英特爾、臺積電等都有在其中做過相關(guān)工作。

　　國際其他廠商在相變存儲器領(lǐng)域的布局