“智”造“芯”未來——華虹宏力2017年度技術論壇再起航

　　6月9日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)的2017年度技術論壇首次登陸成都，與超過200位客戶、合作伙伴、業(yè)界專家學者、媒體和分析師共同探討了萬物互聯(lián)時代下，半導體產業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)。公司管理層現(xiàn)場分享了華虹宏力的市場戰(zhàn)略布局和技術發(fā)展規(guī)劃;技術專家則詳細介紹了公司最新的技術成果及應用熱點。　 

　　今年技術論壇的主題為“‘智’造‘芯’未來”。上海華虹(集團)有限公司(“華虹集團”)董事長、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會會長張素心先生首先致歡迎辭。他簡要介紹了集團總體發(fā)展情況以及取得的成績，并特別感謝了社會各界朋友的一路支持與陪伴。他表示，自承擔建設國家“909”工程以來，華虹集團已建成200mm和300mm兩大制造平臺和國家級集成電路研發(fā)中心，芯片產品廣泛應用于電子信息產業(yè)各領域。今后，華虹將一如既往知難而進，奮發(fā)圖強;不忘初心，砥礪前行，立足自主可控做大做強集成電路制造業(yè)，當好我國集成電路產業(yè)的先行者和主力軍。

　　隨后，華虹宏力執(zhí)行副總裁范恒先生聚焦發(fā)展和變化中的全球半導體產業(yè)，從新技術、新應用和新趨勢入手，向與會者描繪了公司未來的戰(zhàn)略布局與發(fā)展目標。他總結道，作為大中華區(qū)最受認可的晶圓代工企業(yè)，華虹宏力將保持在嵌入式非易失性存儲器(eNVM)、功率器件及電源管理技術等領域優(yōu)勢的基礎上，放眼全球市場，積極布局微控制器(MCU)、新能源汽車和物聯(lián)網(wǎng)等領域，以高技術和高成長作為企業(yè)發(fā)展定位。　 

　　華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士展望了公司技術發(fā)展路線圖。他提到，隨著90納米嵌入式NVM技術的成功開發(fā)，我們會將越來越多的智能卡產品持續(xù)導入至90納米。公司還將繼續(xù)開發(fā)包括射頻絕緣體上硅(SOI)器件在內的射頻相關技術，以滿足持續(xù)增長的智能手機的市場需求以及未來5G蜂窩通信的發(fā)展及應用。華虹宏力將進一步優(yōu)化具有優(yōu)勢的差異化技術，為不同客戶提供高效及高性價比的增值解決方案。 

　　同時，華虹宏力技術團隊在技術論壇上發(fā)表了精彩的專題演講，內容涵蓋SONOS嵌入式閃存和EEPROM工藝、浮柵型嵌入式閃存及EEPROM工藝、硅基射頻工藝、功率器件工藝、電源管理IC工藝以及設計服務與IP支持，向來賓們全方位展示了華虹宏力特色工藝技術的最新發(fā)展與成果。 

　　最后，華虹宏力執(zhí)行副總裁徐偉先生致閉幕辭。他總結說，最近幾個季度，華虹宏力的銷售收入屢創(chuàng)歷史新高。他感謝所有客戶和合作伙伴長期以來對華虹宏力的信任和支持，表示華虹宏力將始終秉持創(chuàng)新理念，堅持匠心品質，踐行“革新、進取、自信、團結”的企業(yè)精神，愿與各界朋友攜手，推動產業(yè)成長，共同智造“芯”未來。

　　此外，還有17家特邀合作伙伴在技術論壇上展示了他們的IP、IC設計服務、EDA工具、光罩制造等產品和服務。大會圓滿舉行，會場座無虛席。

　　論壇技術亮點一：

　　嵌入式存儲器持續(xù)加持

　　華虹宏力已在智能卡和物聯(lián)網(wǎng)方面耕耘多年，擁有世界領先的嵌入式非易失性存儲器技術。公司有SONOS Flash和SuperFlash技術，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻(RF)兩個衍生工藝平臺，技術節(jié)點涵蓋0.18微米到90納米。同時還可為客戶提供高性能、高密度的標準單元庫，并可根據(jù)不同需求為客戶定制高速度、低功耗、超低靜態(tài)功耗的嵌入式閃存IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)IP，可幫助客戶減小低功耗設計難度，搶占市場先機。目前，華虹宏力已成為世界第一大智能卡IC代工廠，采用公司eNVM技術制造的金融IC卡芯片產品分別通過了EMVCo、CC EAL5+、萬事達CQM認證等多項國際權威認證，證明了華虹宏力的金融IC卡芯片工藝及安全管理系統(tǒng)已達到國際先進水平，并獲得全球認可。隨著90納米eNVM工藝的成功量產，目前，智能卡產品已經逐步導入90納米平臺。

　　應對迅速發(fā)展的微控制器市場，華虹宏力擁有高端MCU所用的先進eFlash/eEEPROM處理平臺，以及入門級MCU所用的高性價比嵌入式一次性可編程(OTP)/多次可編程(MTP)處理平臺，以響應物聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)、智慧城市及虛擬現(xiàn)實(VR)等新應用不斷增長的市場需求。此外，華虹宏力有一套專為物聯(lián)網(wǎng)打造的0.11微米超低漏電(ULL)嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平臺，還可將eNVM技術與CMOS射頻集成及/或高壓技術結合，極大增加了可用MCU解決方案的數(shù)量。

　　公司對其已量產的具成本效益的0.18微米OTP/MTP技術平臺進一步升級至90納米。該技術擁有業(yè)內最低的光罩層數(shù)、面積較小的IP模塊且讀寫速度更快及功耗更低，為客戶提供更具成本效益且可用于多種應用的微控制器解決方案。此外，其也為使用現(xiàn)有0.35微米技術平臺的傳統(tǒng)產品提供了升級途徑。

　　論壇技術亮點二：

　　功率器件潛力無限

　　當前，節(jié)能減排與綠色制造的要求漸長，功率器件的應用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C產業(yè)(計算機、通信、消費類電子產品和汽車)，擴展到新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等新領域，而高效能的功率半導體器件是降低功耗、提高效率的關鍵。華虹宏力在生產功率器件方面擁有15年的良好往績，更是業(yè)內首個擁有深溝槽超級結(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型IGBT(Field Stop，F(xiàn)S IGBT)工藝平臺的200mm代工廠。我們致力于為客戶提供更高端的分立器件技術解決方案，并已推出第三代DT-SJ工藝平臺，技術參數(shù)達業(yè)界一流水平，可為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。IGBT被譽為“功率半導體皇冠”，華虹宏力作為國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠，為綠色能源應用提供從低功率到高功率的全系列解決方案。目前，華虹宏力的功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。

　　論壇技術亮點三

　　射頻技術助力未來通訊

　　移動互聯(lián)網(wǎng)和無線通訊技術蓬勃發(fā)展，射頻芯片在智能終端和消費類電子產品中的應用也愈發(fā)廣泛。射頻SOI工藝非常適合用于智能手機以及智能家居、可穿戴設備等智能硬件所需的射頻前端芯片。公司推出了0.2微米射頻SOI工藝設計套件(PDK)。該設計套件有助于客戶提高設計流程的效率及輸出優(yōu)質的射頻組件，從而減少設計改版及縮短產品推出市場的時間。我們將繼續(xù)開發(fā)射頻相關技術，如0.13微米射頻SOI，以應對智能手機出貨量的持續(xù)增長及未來5G蜂窩通信的發(fā)展及應用。

　　此外，華虹宏力還可提供一系列高性能且具備成本效益的射頻解決方案，包括射頻CMOS，高阻硅IPD(集成無源器件)以及配備射頻 PDK的嵌入式閃存工藝平臺。

　　論壇技術亮點四：

　　電源管理IC需求多樣化

　　隨著產業(yè)對綠色、節(jié)能和效率需求的日益增強，出色的電源管理IC(PMIC)技術顯得尤為重要。華虹宏力作為中國出貨量最大的LED驅動IC代工廠，已引入全面電源管理IC解決方案，可提供久經驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平臺。其技術涵蓋1微米到0.13微米，電壓范圍覆蓋1.8伏到700伏，性能卓越、質量可靠，可廣泛應用于PMIC、快速充電(Fast Charge)、手機/平板電腦PMU以及智能電表等產品領域。

　　華虹宏力超高壓700V BCD技術迎合了節(jié)能環(huán)保熱點，此工藝平臺所支持的高壓小電流LED 照明驅動應用市場發(fā)展前景十分廣闊?；?00V LDMOS工藝的開關型LED驅動所用的超高壓結型場效應晶體管(JFET)也已成功開發(fā)。我們正加緊研發(fā)一種增強型700V BCD技術，以使其適合更多的應用，進一步提高其競爭力。此外，華虹宏力的CZ6模擬系列平臺，在業(yè)內有著廣泛知名度，更是以穩(wěn)定可靠的質量而著稱。展望未來，我們將拓展先進的電源管理平臺，為客戶提供一整套具成本效益的解決方案。

　　活動合影

　　關于華虹宏力

　　上海華虹宏力半導體制造有限公司(以下簡稱“華虹宏力”)，由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司新設合并而成，是世界領先的200mm純晶圓代工廠。華虹宏力在上海張江和金橋共有3條200mm集成電路生產線，月產能達15.5萬片，工藝技術覆蓋1微米至90納米各節(jié)點，在標準邏輯、嵌入式非易失性存儲器、電源管理、功率器件、射頻、模擬和混合信號等領域形成了具有競爭力的先進工藝平臺，并正在持續(xù)開發(fā)多種微機電系統(tǒng)(MEMS)工藝解決方案。公司總部位于中國上海，在中國臺灣、日本、北美和歐洲等地均提供銷售與技術支持。