梁孟松去職三星成定局,中芯能否迎來(lái)助力挺進(jìn)前三?
伴隨著掌門人入獄,三星電子(Samsung Electronics)又再次面臨噩耗。據(jù)媒體披露,三星積極慰留梁孟松未果,梁孟松請(qǐng)長(zhǎng)假后并未銷假回三星上班,從2017年8月中起正式離開三星集團(tuán),結(jié)束2009年離開臺(tái)積電到韓國(guó)三星集團(tuán)任職的8年歲月。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201709/363881.htm梁孟松1981年加入臺(tái)積電2009年離開,后赴與三星關(guān)系密切的成均館大學(xué)任職,2011年正式加盟三星。在臺(tái)積電期間,梁孟松曾經(jīng)是的重要技術(shù)人才,其負(fù)責(zé)了臺(tái)積電從130nm直至16nm FinFET工藝的歷代先進(jìn)工藝的開發(fā),是臺(tái)積電高管當(dāng)中發(fā)明專利最多的人,在臺(tái)積電期間發(fā)明了超過500個(gè)專利。
加入三星后,或許很多人對(duì)梁孟松貢獻(xiàn)三星技術(shù)的程度存有疑慮,但三星的晶圓代工技術(shù)在梁孟松加入之后有突飛猛進(jìn)的進(jìn)步,卻是不爭(zhēng)的事實(shí)。在梁孟松職掌三星高階工藝技術(shù)兵符的時(shí)期,三星的14nm FinFET制程是比臺(tái)積電16nm快量產(chǎn),還拿下高通14nm、10nm連續(xù)兩代技術(shù)的訂單,因此,這樣的傳奇人物自然被大陸半導(dǎo)體視為突破技術(shù)瓶頸的一帖解藥。
此前集微網(wǎng)曾報(bào)道,梁孟松旗下一員一路跟隨梁孟松從臺(tái)積電、到三星的曾姓大將已于7月底到中芯國(guó)際報(bào)到。從2016年底起,梁孟松投中芯的傳聞一直未間斷,是否能順利加入中芯國(guó)際的討論隨著他正式離開三星而再次掀起高潮?,F(xiàn)在最關(guān)鍵的因素仍是三星必定極力阻止梁孟松投入中芯國(guó)際,而如何解決三星的競(jìng)業(yè)禁令,加快梁孟松順利的加入,成了中芯和三星之間激烈的競(jìng)賽。
梁孟松助力、先進(jìn)工藝研發(fā)、熱門應(yīng)用市場(chǎng)爆發(fā)
——中芯三管齊下向世界前三挺進(jìn)
根據(jù)8月底中芯國(guó)際發(fā)布的中報(bào),截至2017年6月30日止,中芯國(guó)際上半年的營(yíng)收和毛利皆創(chuàng)下新紀(jì)錄。其中營(yíng)收達(dá)15.4億美元,同比增長(zhǎng)16.6%,毛利為4.15億美元,同比增長(zhǎng)11.7%,毛利率為26.9%。按產(chǎn)品及服務(wù)類別來(lái)看,中芯國(guó)際上半年的營(yíng)業(yè)收入主要來(lái)源于晶圓銷售、掩膜制造、測(cè)試及其他,其中晶圓銷售貢獻(xiàn)營(yíng)收約15億美元,掩膜制造、測(cè)試及其他貢獻(xiàn)營(yíng)收4769.3萬(wàn)美元。此外,中芯國(guó)際28納米制程營(yíng)收占比也持續(xù)提升。今年上半年,中芯國(guó)際來(lái)自28納米的收入已經(jīng)增長(zhǎng)至占晶圓總收入的5.8%,較2016年同時(shí)期增長(zhǎng)已達(dá)13.8倍。
從技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)看,中芯國(guó)際目前營(yíng)收的主要來(lái)源是是0.15/0.18um工藝,其次是55/65nm,然后就是0.11/0.13 um工藝的產(chǎn)品,90nm工藝營(yíng)收占比微乎其微。至于更先進(jìn)的制程方面,中芯國(guó)際在第2季業(yè)績(jī)電話會(huì)議中指出,公司目前有3個(gè)28納米工藝平臺(tái),包括PolySiON、HKM及HKC。HKM自2016年起已啟動(dòng)小量生產(chǎn),HKC如預(yù)期于2017年第3季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),并于2018年投入服務(wù),應(yīng)用目標(biāo)為通訊及消費(fèi)方面。管理層指其HKC平臺(tái)較其他同業(yè)較具競(jìng)爭(zhēng)力,預(yù)期于2018年中開始提升產(chǎn)量。14納米工藝將如預(yù)期般于2019年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。
據(jù)集微網(wǎng)了解,中芯國(guó)際今年在先進(jìn)工藝研發(fā)方面卯足了勁,預(yù)計(jì)年底將28nm工藝營(yíng)收占比提升至10%。目前,中芯國(guó)際在28nm HKMG工藝方面具備了量產(chǎn)能力,客戶產(chǎn)品正在導(dǎo)入階段,產(chǎn)能正處于穩(wěn)步提升中。此外,今年3月,中芯國(guó)際前任CEO邱慈云博士宣布,中芯國(guó)際2017年將籌備7nm工藝的研發(fā),加大研發(fā)投入力度追趕先進(jìn)制程。公告顯示,2017年第一季度中芯國(guó)際的研發(fā)投入是去年的3倍,持續(xù)投入14nm研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計(jì)2019年進(jìn)入14nm試產(chǎn)階段。
從應(yīng)用市場(chǎng)方面來(lái)看,中芯國(guó)際首席執(zhí)行官趙海軍博士在此前的業(yè)績(jī)說明會(huì)上表示,指紋識(shí)別芯片業(yè)務(wù)開始強(qiáng)勢(shì)反彈,閃存業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng),中芯將和客戶緊密合作,在新款手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域把握機(jī)遇。據(jù)集微網(wǎng)了解,目前中芯已取得提供制造LED驅(qū)動(dòng)IC及特殊微控制單元產(chǎn)品的資格,指紋辨識(shí)產(chǎn)品也獲新客戶訂單,預(yù)期2017年下半年的銷售將提升。此外中芯客戶取得了車用編碼型閃存(NOR Flash)的資格,中芯亦可轉(zhuǎn)換部份產(chǎn)能以支持有關(guān)需求。
根據(jù)群智咨詢的數(shù)據(jù)顯示,全球指紋識(shí)別應(yīng)用市場(chǎng)在不斷擴(kuò)大,2017年第一季度全球指紋識(shí)別芯片出貨量約2.7億顆,同比增長(zhǎng)約60.4%。而據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè),未來(lái)5年,指紋識(shí)別市場(chǎng)的復(fù)合年增率(CAGR)將達(dá)到19%,市場(chǎng)規(guī)模有望從2016年的28億美元,增加到2022年的47億美元。在存儲(chǔ)方面,今年年初,中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)芯片,此類芯片密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,且性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于DRAM。由此可見,中芯國(guó)際對(duì)于存儲(chǔ)器市場(chǎng)早已勢(shì)在必得。
中芯國(guó)際在邱慈云任職時(shí)期,銷售額暴漲主要是依賴于產(chǎn)能的大幅擴(kuò)充,而不是仰仗于先進(jìn)工藝的進(jìn)步。業(yè)界專家莫大康指出,面對(duì)今天的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì),中芯國(guó)際持續(xù)的擴(kuò)充先進(jìn)制程的產(chǎn)能,它的28nm的占率提升己經(jīng)成為首要的“攔路虎”。不但為了提升它的銷售額,同樣為未來(lái)能進(jìn)入全球代工第一陣營(yíng)中打下基礎(chǔ)。所以28nm工藝的突破,包括低功耗的HKMG 28nm技術(shù)的量產(chǎn)必須想盡方法盡快的解決。
根據(jù)IC Insights公布的數(shù)據(jù)顯示,在純晶圓代工的廠商中中芯國(guó)際位列第四名,排在臺(tái)積電、GlobalFoundries和聯(lián)電的后面。而中芯國(guó)際CEO在早前的中國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)年會(huì)發(fā)表公開演講時(shí),曾表示中芯國(guó)際未來(lái)要進(jìn)入世界前三,營(yíng)業(yè)額方面達(dá)到至少60億美元。熱門應(yīng)用市場(chǎng)的爆發(fā),中芯國(guó)際要依靠技術(shù)上來(lái)推動(dòng)進(jìn)步,梁孟松的加入是否能為其挺進(jìn)世界前三帶來(lái)助力,我們拭目以待。
評(píng)論