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LED芯片技術(shù)及國(guó)內(nèi)外差異分析

作者: 時(shí)間:2017-10-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  芯片,是LED的核心部件。目前國(guó)內(nèi)外有很多廠家,然芯片分類沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),若按功率分類,則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類,則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種;若按形狀分類,一般分為方片、圓片兩種;若按電壓分類,則分為低壓直流芯片和高壓直流芯片。國(guó)內(nèi)外芯片技術(shù)對(duì)比方面,國(guó)外芯片技術(shù)新,國(guó)內(nèi)芯片重產(chǎn)量不重技術(shù)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201710/367647.htm

  襯底材料和生長(zhǎng)技術(shù)成關(guān)鍵

  目前,技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和生長(zhǎng)技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外,氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前研究的焦點(diǎn)。目前,市面上大多采用藍(lán)寶石或碳化硅襯底來(lái)外延生長(zhǎng)寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵,這兩種材料價(jià)格都非常昂貴,且都為國(guó)外大企業(yè)所壟斷,而硅襯底的價(jià)格比藍(lán)寶石和碳化硅襯底便宜得多,可制作出尺寸更大的襯底,提高M(jìn)OCVD的利用率,從而提高管芯產(chǎn)率。所以,為突破國(guó)際專利壁壘,中國(guó)研究機(jī)構(gòu)和LED企業(yè)從硅襯底材料著手研究。

  

  但問(wèn)題是,硅與氮化鎵的高質(zhì)量結(jié)合是LED芯片的技術(shù)難點(diǎn),兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術(shù)問(wèn)題長(zhǎng)期以來(lái)阻礙著芯片領(lǐng)域的發(fā)展。

  無(wú)疑,從襯底角度看,主流襯底依然是藍(lán)寶石和碳化硅,但硅已經(jīng)成為芯片領(lǐng)域今后的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于價(jià)格戰(zhàn)相對(duì)嚴(yán)重的中國(guó)來(lái)說(shuō),硅襯底更有成本和價(jià)格優(yōu)勢(shì):硅襯底是導(dǎo)電襯底,不但可以減少管芯面積,還可以省去對(duì)氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟,加之,硅的硬度比藍(lán)寶石和碳化硅低,在加工方面也可以節(jié)省一些成本。

  目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主,如能采用硅基氮化鎵技術(shù),至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì),使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。

  國(guó)內(nèi)外芯片技術(shù)差異大

  在國(guó)外,歐司朗、美國(guó)普瑞、日本三墾等一流企業(yè)已經(jīng)在大尺寸硅襯底氮化鎵基LED研究上取得突破,飛利浦、韓國(guó)三星、LG、日本東芝等國(guó)際LED巨頭也掀起了一股硅襯底上氮化鎵基LED的研究熱潮。其中,在2011年,美國(guó)普瑞在8英寸硅襯底上研發(fā)出高光效氮化鎵基LED,取得了與藍(lán)寶石及碳化硅襯底上頂尖水平的LED器件性能相媲美的發(fā)光效率160lm/W;在2012年,歐司朗成功生產(chǎn)出6英寸硅襯底氮化鎵基LED。

  反觀中國(guó)內(nèi)地,LED芯片企業(yè)技術(shù)的突破點(diǎn)主要還是提高產(chǎn)能和大尺寸藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù),除了晶能光電在2011年成功實(shí)現(xiàn)2英寸硅襯底氮化鎵基大功率LED芯片的量產(chǎn)外,中國(guó)芯片企業(yè)在硅襯底氮化鎵基LED研究上無(wú)大的突破,目前中國(guó)內(nèi)地LED芯片企業(yè)還是主攻產(chǎn)能、藍(lán)寶石襯底材料及生長(zhǎng)技術(shù),三安光電、德豪潤(rùn)達(dá)、同方股份等內(nèi)地芯片巨頭也大多在產(chǎn)能上取得突破。



關(guān)鍵詞: LED芯片 晶圓

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