美光宣布 GDDR6 完成設(shè)計(jì)與內(nèi)部認(rèn)證，預(yù)計(jì)2018 年量產(chǎn)

　　目前市場顯示卡所建置的記憶體，從 GDDR5 到 GDDR5X 與 HBM2 都已流行一段時(shí)間了，最新的 GDDR6 還沒有聽到太多消息。如今，美系記憶體大廠美光(Micron)日前宣布，已完成 12Gbps 和 14Gbps GDDR6 的設(shè)計(jì)和內(nèi)部認(rèn)證。美光曾表示，打算在 2018 年上半年量產(chǎn) GDDR6，現(xiàn)在可讓這個(gè)計(jì)劃繼續(xù)發(fā)展下去了。

　　與上一代 GDDR5X 是單頻道記憶體相比，GDDR6 將擁有雙頻道，以及加裝 pitch 的 FBGA180 陣列封裝，兼容與前代不同的差異。預(yù)計(jì)未來 GDDR6 推出后，使用者將有完全不同的使用者體驗(yàn)。對(duì)美光宣布完成 12Gbps 和 14Gbps GDDR6 的設(shè)計(jì)和內(nèi)部認(rèn)證，業(yè)界人士表示，這意味著美光已完成 GDDR6 開發(fā)過程中最困難的部分，隨后美光應(yīng)該會(huì)將精力轉(zhuǎn)向更高速的 GDDR6 晶片研發(fā)。

　　目前美光研發(fā)人員正朝著 16Gbps GDDR6 的方向邁進(jìn)，最大的挑戰(zhàn)，不再是資料傳輸方面，而是儲(chǔ)存單元本身。因?yàn)?GDDR 標(biāo)準(zhǔn)更新，通常只針對(duì)儲(chǔ)存單元不斷提升的頻率。如今資料介面?zhèn)魉退俾室膊粩嗵嵘?，發(fā)展瓶頸就不在資料傳輸介面部分。

　　美光指出，雖然 GDDR6 將是 2018 年性能最頂尖的顯示卡記憶體，但并不意味著 GDDR6 會(huì)很快取代 GDDR5，接下來一段時(shí)間還會(huì)繼續(xù)生產(chǎn) GDDR5 顯示卡記憶體，如美光現(xiàn)在量產(chǎn)全新 1x 奈米制程 8Gb GDDR5 顯示卡記憶體。即使 GDDR6 大規(guī)模市場鋪貨，仍會(huì)有段調(diào)整期。比起價(jià)格高昂的 GDDR6，顯然 GDDR5 會(huì)更適合現(xiàn)在的主流顯示卡。