臺(tái)積電投資未來(lái) 擴(kuò)充研發(fā)、設(shè)計(jì)核心部門

　　臺(tái)積電首場(chǎng)技術(shù)論壇率先在舊金山舉行，臺(tái)積電總執(zhí)行長(zhǎng)蔡力行以投資未來(lái)「Invest to the Future」為題表示，盡管目前確實(shí)看到客戶急單需求，但未來(lái)依然充滿挑戰(zhàn)，臺(tái)積電抱以謹(jǐn)慎樂(lè)觀態(tài)度。臺(tái)積電指出，在此時(shí)前景混沌未明之際，將逆勢(shì)擴(kuò)增核心部門，研發(fā)團(tuán)隊(duì)將擴(kuò)充30%人力、設(shè)計(jì)服務(wù)部門也將再增15%員額。臺(tái)積電近來(lái)確實(shí)已經(jīng)透過(guò)內(nèi)部網(wǎng)站大舉擴(kuò)充研發(fā)與設(shè)計(jì)專才。

　　不論研發(fā)或是設(shè)計(jì)服務(wù)部門，都是臺(tái)積電延續(xù)往22納米制程技術(shù)前進(jìn)必要的核心領(lǐng)域，臺(tái)積電40納米制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，32納米與28納米制程可能在2009年底進(jìn)入試產(chǎn)階段，而22納米制程則處于早期研發(fā)階段，最快可能2011~2012年才成真，而針對(duì)22納米制程臺(tái)積電已經(jīng)與設(shè)備商共同研發(fā)多重電子束(Multiple e-beam)曝光技術(shù)，并移入臺(tái)積電研發(fā)廠區(qū)。

　　蔡力行表示，臺(tái)積電投資研發(fā)的決心不會(huì)改變，事實(shí)上包括核心部門的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、設(shè)計(jì)服務(wù)部門都將逆勢(shì)擴(kuò)增人力，以目前臺(tái)積電研發(fā)約1,200人看來(lái)，未來(lái)還將大舉擴(kuò)充30%人力;而在替客戶設(shè)計(jì)服務(wù)方面，目前已經(jīng)從2008年增加至600人，未來(lái)還將續(xù)增15%人力。事實(shí)上，臺(tái)積電內(nèi)部網(wǎng)站近日已積極向外征才，在多數(shù)半導(dǎo)體廠商裁員的情況下，逆勢(shì)吸引、挑選人才的動(dòng)作引起業(yè)界注目。

　　事實(shí)上目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尚未見到整體復(fù)蘇情況，許多半導(dǎo)體業(yè)者包括IC設(shè)計(jì)、IC設(shè)備、自動(dòng)化設(shè)計(jì)平臺(tái)(EDA)業(yè)者都大舉裁員，正讓臺(tái)積電可以吸收這批專才，為臺(tái)積電所選用。臺(tái)積電日前針對(duì)生產(chǎn)線瘦身，這回再次征才針對(duì)研發(fā)與設(shè)計(jì)部門，一減一增之間已達(dá)到某種程度的組織結(jié)構(gòu)重整目的。

　　此外，臺(tái)積電也展現(xiàn)在利基型生產(chǎn)制程的企圖心，包括推出類比混訊設(shè)計(jì)套件(design kits)采用先進(jìn)的65納米制程;以成熟制程的0.11微米半世代制程投入未來(lái)200萬(wàn)、500萬(wàn)甚至800萬(wàn)畫素CMOS感測(cè)元件;而在6月臺(tái)積電的12寸廠也將正式提供矽穿孔(TSV)封測(cè)制造服務(wù)。如外界所預(yù)期的，臺(tái)積電也正積極擴(kuò)充40納米制程設(shè)備與產(chǎn)能。