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AI需求持續(xù)爆發(fā)!“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉,周四,SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收,這反映出市場對與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商,這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到7.03萬億韓元(51億美元),上年同期為虧損1.8萬億韓元,高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%,達(dá)到17.6萬億韓元,而市場預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來,SK海力士股價累計上漲逾35%,原因是該公司在設(shè)計和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
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全球首款12層堆疊HBM3E,開始量產(chǎn)了

  • SK 海力士宣布,已開始量產(chǎn) 12H HBM3E 芯片,實現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量。
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SK海力士揭秘半導(dǎo)體全球生產(chǎn)基地及應(yīng)用領(lǐng)域

  • 設(shè)想一下,如果沒有了智能手機、電腦或互聯(lián)網(wǎng),世界會變成怎樣?顯而易見,缺失這些必需品的生活是無法想象的。然而,如果沒有半導(dǎo)體作為推動眾多科技發(fā)展的引擎,世界無疑便會陷入無法想象的境地。盡管半導(dǎo)體芯片在生活中很常見,但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時至今日,半導(dǎo)體世界仍有許多知識鮮為人知。作為現(xiàn)代科技的核心,芯片可謂是推動科技發(fā)展背后的隱藏力量,然而很少有人目睹這些先進(jìn)設(shè)備是如何在工廠中被精心制造出來的。為了更深入地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域,本期半導(dǎo)體綜述系列文章將深入探討芯片生產(chǎn)工廠及屬地,并探索
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SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

  • 2024年9月26日,SK海力士宣布,公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB(千兆字節(jié))容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品,繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后,僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實力。 SK海力士強調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E),  公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品,不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求,
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux

  • 2024年9月23日,SK海力士宣布,公司已將用于優(yōu)化CXL*(Compute Express Link)存儲器運行的自研軟件異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件(HMSDK)*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示:“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產(chǎn)品而備受矚目,公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK,其性能已獲得國際認(rèn)可,并成功應(yīng)用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標(biāo)志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面,公司的軟件競爭力也獲得廣泛認(rèn)可,具有重大意義?!蔽磥?/li>
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SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”

  • 采用第五代PCIe,較上一代產(chǎn)品性能提高一倍,能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗證后,將于明年第二季度開始量產(chǎn)· 增強數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合,滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域,同時在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域,鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日,SK海力士宣布,公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(SSD,Solid State Drive)產(chǎn)品“PEB110 E1.S”(以下簡稱 PEB110)。SK海力士表示:“隨著AI時代的全面到
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào):“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳,微細(xì)工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代(1b)技術(shù)力為基礎(chǔ),提高了設(shè)計完成度,率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備,從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品,引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展?!惫疽?b DRAM
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自動駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E

  • 8月15日消息,日前,SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露,公司已經(jīng)開始將HBM引入汽車半導(dǎo)體,Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示,目前,汽車DRAM半導(dǎo)體正在從LPDDR 4轉(zhuǎn)向LPDDR 5,HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預(yù)測表示,當(dāng)自動駕駛L3、L4級普及時,對HBM的需求將迅速增加,更高的計算能力對于L2.5級或更高級別的自動駕駛至關(guān)重要,HBM3在一塊芯片上每秒計算1TB,能夠滿足要求。根據(jù)外媒報道,SK海力士已向上游設(shè)備企業(yè)訂購
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)所有測試,預(yù)計今年底開始交付

  • 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E(24GB)樣品,不過一直沒有通過英偉達(dá)的測試。此前有報道稱,已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到,三星的HBM3E很快會獲得認(rèn)證,將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道,三星的HBM3E終于通過了英偉達(dá)的所有測試項目,這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達(dá)計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議,但是問題不大,預(yù)計今年底開始交付。值得一提的是,三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E(32GB)樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā),計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備,2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)?!?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法,SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息,綜合外媒《韓國經(jīng)濟日報》(Hankyung)與 Blocks & Files 報道,SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù),而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336,E1.L 規(guī)格,61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響,Sol
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全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱!SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠,積極投入高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)能擴充計劃,市場人士估計,2025年新增投片量約27.6萬片,總產(chǎn)能拉高至54萬片,年增105%。 HBM是AI芯片占比最高的零組件,根據(jù)外媒拆解,英偉達(dá)H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展,進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相繼采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場,而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士砸750億美元 力拚AI

  • 韓國SK集團(tuán)30日宣布,旗下內(nèi)存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元(約750億美元)強化芯片事業(yè),尤其將著重AI發(fā)展。SK集團(tuán)日前剛結(jié)束為期兩天的策略會議,并于會后宣布全力發(fā)展AI價值鏈,將SK海力士的技術(shù)應(yīng)用在高帶寬內(nèi)存芯片(HBM)、AI數(shù)據(jù)中心及AI語音助理等領(lǐng)域。SK集團(tuán)指出,上述103兆韓元當(dāng)中將有80%,也就是大約82兆韓元(約600億美元)投入發(fā)展HBM。 HBM廣泛應(yīng)用在生成式AI芯片組,且SK海力士目前是輝達(dá)的HBM3獨家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營收年增超過1倍至1
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SK海力士開發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤‘PCB01’

  • - SK海力士28日宣布,公司開發(fā)出用于端側(cè)(On-Device)AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤(SSD,Solid State Drive)產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側(cè)(On-Device)AI:在設(shè)備本身上實現(xiàn)AI運行,而非依賴物理分離的服務(wù)器進(jìn)行計算。由于智能手機或PC等終端設(shè)備自行收集信息并進(jìn)行計算,可提升AI功能的反應(yīng)速度、加強用戶定制性AI服務(wù)功能。SK海力士表示:“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術(shù),以顯著提升數(shù)據(jù)處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展,并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
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