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如何測量功率回路中的雜散電感

  • 影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法,包括直流母線電容的寄生電感,直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里?圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖,主要包括三類:連接母排及功率回路中的寄生電感,IGBT模塊內(nèi)部寄生電感,直流母線電容寄生電感,分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  • 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用(包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等)和汽車領(lǐng)域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等)
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英飛凌將Qt圖形用戶界面集成到其微控制器中

  • Source:?Getty Images/metamorworks根據(jù)1月16日發(fā)布的一篇新聞稿,英飛凌科技日前與Qt集團合作,將Qt的圖形用戶界面(GUI)框架集成到其微控制器(MCU)中。此次合作旨在將Qt的輕量級高性能圖形框架無縫集成到英飛凌支持圖形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集團微控制器產(chǎn)品總監(jiān)主管Toni Paila表示:“當(dāng)今的全球半導(dǎo)體市場競爭非常激烈,全球制造商正在不斷尋找辦法,以期盡可能快地將他們的產(chǎn)品推向市場。全球微控制器的開發(fā)周期不斷縮短就是最好的證明。但即使
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢,通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
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英飛凌科技:MCU市場變革中的策略與應(yīng)對

  • 隨著科技的飛速發(fā)展,微控制器(MCU)在各個領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在汽車電子領(lǐng)域,MCU的重要性不言而喻。英飛凌作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍者,當(dāng)然更加重視MCU 在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用。英飛凌科技大中華區(qū)高級總監(jiān)、動力與新能源系統(tǒng)業(yè)務(wù)單元負責(zé)人 仲小龍1 32位MCU不斷擠占市場近年來, 隨著32 位MCU 的普及,8 位/16 位MCU的市場地位受到了一定程度的擠壓。隨著汽車電子系統(tǒng)功能的提升和集成度的不斷提高,EE 架構(gòu)不斷更新,總體上對MCU性能的需求也在不斷提升。功能相對簡單的系統(tǒng),如泵、閥和小電
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計,進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示:“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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英飛凌推出新型固態(tài)隔離器,交換速度更快,功耗降低高達70%

  • 英飛凌科技股份公司在美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(APEC)上推出全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列。該系列可實現(xiàn)更快速、可靠的電路交換,并擁有光學(xué)固態(tài)繼電器(SSR)所不具備的保護功能。這些隔離器采用無芯變壓器技術(shù),支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r,還具備了電流和溫度保護功能,實現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。這款,與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)隔離器驅(qū)動SCR(硅控整流器)和可控硅的方案相比,新的固態(tài)隔離器可驅(qū)動英飛凌的OptiMOS?和CoolMOS?,其功耗降低多達70%。英飛凌的固態(tài)隔離器可使固態(tài)繼電器控制1000 V和10
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英飛凌推出PSoC? 車規(guī)級4100S Max系列

  • 【2024年3月8日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出全新車規(guī)級PSoC? 4100S Max系列。這一微控制器器件系列具有更佳的閃存密度、通用輸入輸出接口(GPIO)、CAN-FD和硬件安全性,擴展了采用CAPSENSE?技術(shù)的英飛凌汽車車身/暖通空調(diào)(HVAC)和方向盤應(yīng)用人機界面(HMI)解決方案組合。  車規(guī)級 PSoC? 4100S Max 車規(guī)級PSoC? 4100S Max通過第五代CAPSEN
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英飛凌宣布重組銷售與營銷組織

  • 2月28日,英飛凌宣布重組銷售與營銷組織,自3月1日起,英飛凌的銷售團隊將圍繞三個以客戶為中心的業(yè)務(wù)領(lǐng)域進行組織和重建:“汽車業(yè)務(wù)”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)”以及“消費、計算與通訊業(yè)務(wù)”。分銷商和電子制造服務(wù)管理(DEM)銷售組織將繼續(xù)負責(zé)分銷商和電子制造服務(wù)(EMS)領(lǐng)域。英飛凌表示,簡潔的重組方法將幫助客戶更便捷地獲取英飛凌的完整產(chǎn)品組合,并通過提供來自不同事業(yè)部的互補產(chǎn)品來滿足客戶的特定需求。此外,此次重組將減少英飛凌客戶的接口數(shù)量,有助于縮短英飛凌半導(dǎo)體和解決方案支持的研發(fā)項目的上市時間。英飛凌科技
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英飛凌與威邁斯加強合作,為電動汽車提供節(jié)能經(jīng)濟的快速充電服務(wù)

  • 英飛凌科技股份公司的新型CoolSiC?混合分立器件采用 TRENCHSTOP? 5 快速開關(guān) IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領(lǐng)先的新能源汽車功率電子和電機驅(qū)動器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司(VMAX)將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器。英飛凌的元件采用 D2PAK 封裝,將超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT與碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管相結(jié)合,在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中具有完美的性價比。憑借卓越的性能、優(yōu)化的功率密度和領(lǐng)先的質(zhì)量,該功率半導(dǎo)
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芯聯(lián)集成和理想汽車簽訂戰(zhàn)略協(xié)議 深化SiC合作

  • 3月4日消息,日前,芯聯(lián)集成與理想汽車正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。按照雙方協(xié)議簽署,芯聯(lián)集成將和理想汽車在碳化硅領(lǐng)域展開全面戰(zhàn)略合作,雙方將一起積極推動產(chǎn)品化進程,共同提升雙方的市場競爭力。同時,雙方也在積極討論下一步將在模擬IC等領(lǐng)域展開深度合作。2023年,芯聯(lián)集成已經(jīng)實現(xiàn)碳化硅的量產(chǎn),產(chǎn)品類型為平面MOSFET產(chǎn)品,其中90%的產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器。公司目前已經(jīng)實現(xiàn)月產(chǎn)出5000片以上的量產(chǎn),同時公司最新一代的碳化硅MOSFET產(chǎn)品性能已達世界領(lǐng)先水平。目前,芯聯(lián)集成正在建設(shè)國內(nèi)第一條8英寸
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英飛凌重組銷售與營銷組織

  • 3月1日消息,自3月1日起,英飛凌的銷售團隊將圍繞三個以客戶為中心的業(yè)務(wù)領(lǐng)域進行組織和重建——“汽車業(yè)務(wù)”“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)”以及“消費、計算與通訊業(yè)務(wù)”。分銷商和電子制造服務(wù)管理(DEM)銷售組織將繼續(xù)負責(zé)分銷商和電子制造服務(wù)(EMS)領(lǐng)域。新的組織結(jié)構(gòu)將以客戶的應(yīng)用需求為中心,進一步發(fā)揮英飛凌全面、多樣化產(chǎn)品組合的潛力。這些新的組織結(jié)構(gòu)將在全球范圍內(nèi)部署,同時優(yōu)化區(qū)域布局。簡潔的重組方法將幫助客戶更便捷地獲取英飛凌的完整產(chǎn)品組合,并通過提供來自不同事業(yè)部的互補產(chǎn)品來滿足客戶的特定需求。此外,此次重組
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英飛凌推出高密度功率模塊,為AI數(shù)據(jù)中心提供基準(zhǔn)性能,降低總體擁有成本

  • 【2024年3月1日,德國慕尼黑和加利福尼亞州長灘訊】人工智能(AI)正推動全球數(shù)據(jù)生成量成倍增長,促使支持這一數(shù)據(jù)增長的芯片對能源的需求日益增加。英飛凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列雙相功率模塊,為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本(TCO)。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu),通過穩(wěn)健的機械設(shè)計提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運行效率,在滿足AI GPU(圖形處理器單元)平臺高功率需求的
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英飛凌的毫米波雷達產(chǎn)品實現(xiàn)無接觸測量生命體征和呼吸速率,推動醫(yī)療保健行業(yè)變革

  • 在普通的非ICU患者中,有高達75%的不良事件和可預(yù)防死亡是因缺乏多參數(shù)生命體征(VS)監(jiān)測而發(fā)生?;颊吆屠夏耆酸t(yī)療保健的一個重要方面是監(jiān)測呼吸速率和心率等生命體征。大多數(shù)用于追蹤生命體征的設(shè)備,如心電圖和脈搏血氧儀,需要通過綁帶和電極直接接觸皮膚,并且需要接線或定期充電,使得患者無法自由活動。然而,先進的雷達傳感器的出現(xiàn)催生出無需任何身體接觸的全新生命體征監(jiān)測技術(shù)。且因非接觸式生命體征監(jiān)測具有諸多優(yōu)勢,其重要性日益顯現(xiàn),其中包括無接觸測量、持續(xù)監(jiān)測、及早發(fā)現(xiàn)異常情況以及能夠無縫集成到消費類產(chǎn)品中等優(yōu)勢。
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