首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

Diodes 推出強固型MOSFET

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  

IR 拓展堅固可靠、系統(tǒng)可擴展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關(guān)、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統(tǒng)等。 　　與傳統(tǒng)的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本，以及超高的性
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

  • 當維持相同的結(jié)點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 技術(shù)  MOSFET  封裝  新型  供電  需求  滿足  

Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導通電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。 　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET   

一種MOSFET雙峰效應的簡單評估方法

  • 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  雙峰效  方法    

Diodes 推出強固型MOSFET 輕松應對IP電話通信設備的嚴峻考驗

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  

硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領域的應用

  • 　功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比，這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關(guān)型電源轉(zhuǎn)換技術(shù)得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關(guān)電
  • 關(guān)鍵字： 領域  應用  轉(zhuǎn)換  電源  MOSFET  功率  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

  • 　　前言 　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨特的光電元件的特點、構(gòu)造、布線等。 　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
  • 關(guān)鍵字： Panansonic  PhotoMOS  MOSFET  

瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

  • 　　高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。 　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  MOSFET  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

  • 　　b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 　　為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
  • 關(guān)鍵字： Panasonic  MOSFET  PhotoMOS  

IR 推出為 D 類應用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關(guān)應用。 　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

  • 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設計及測試結(jié)果，并對其應用特點進行了分析和討論。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  激光器  觸發(fā)系統(tǒng)    

Diodes 推出小型SOT963封裝器件

  • 　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。 　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  BJT  TVS  

MOSFET驅(qū)動器介紹及功耗計算

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動器  功耗計算    

電源設計小貼士17：緩沖反向轉(zhuǎn)換器

  • 之前，我們介紹了如何對正向轉(zhuǎn)換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進行緩沖?，F(xiàn)在，我們來研究如何對反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關(guān)斷電壓進行緩沖。圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于
  • 關(guān)鍵字： 轉(zhuǎn)換器  緩沖  設計  MOSFET  TI  德州儀器  
共1484條 81/99 |‹ « 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 » ›|

碳化硅 mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473