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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

馬達設計中提升更高的效率

  • 　　中心議題： 　　馬達的結構 　　提升馬達工作的效率 　　解決方案： 　　正弦脈沖調制控制方式 　　智能功率模塊 　　近些年來，家用電器對節(jié)能的要求變得越來越強烈。這是很顯然的，僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達主要在低速運轉，就有非常大的節(jié)能潛力，通過在低速驅動器中簡單改進馬達的驅動效率就能實現(xiàn)。 　　同樣，據(jù)估計工業(yè)用電的65%被電驅動馬達所消耗，毫無疑問，商家正逐漸意識到節(jié)能將成為改善收益率和競爭能力的關鍵。在電驅動馬達中降低能量消耗有兩種主要的方式：改善

英飛凌推出OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 　　通過大幅降低三個關鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
  • 關鍵字： 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  DrMOS  

開關電源中功率MOSFET的驅動技術薈萃

  • 功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點，已經(jīng)成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅動器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的
  • 關鍵字： 技術  薈萃  驅動  MOSFET  功率  開關電源  電源  

CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。 　　VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
  • 關鍵字： CISSOID  MOSFET  晶體管  

安森美半導體推出高壓MOSFET系列

  • 　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充公司市場領先的功率開關產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。 　　這些新的500 V和60
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  功率開關  

NXP 推出全新60 V和100 V晶體管

  • 　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。 　　LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設計實現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的
  • 關鍵字： NXP  晶體管  MOSFET  

NexFETTM：新一代功率 MOSFET

  • 1對于理想開關的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調變 (PWM) 應用中的電氣開關，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關。作為負載開關使用時，由于切換時間通常較長，因此裝置的成本、尺寸及導通電阻
  • 關鍵字： NexFETTM  MOSFET    

利用智能MOSFET驅動器提升數(shù)字控制電源性能

  • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。 　　UC
  • 關鍵字： MOSFET  驅動器  數(shù)字控制電源  性能    

安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列

  • 　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。 　　安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關鍵的規(guī)范特性包括：
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

電腦的麥克風電路以及JFET-MOSFET耳機功放電路

  • 電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
  • 關鍵字： 電路  耳機  功放  JFET-MOSFET  以及  麥克風  電腦  

Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅動器

  • 　　Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結構、但不帶必需的高邊MOSFET驅動器的HB (高亮度) LED設計提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅動器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓撲結構，并將地電位作為輸出電壓的參考點，從而使設計人員避免了采用SEPIC結構帶來的成本和設計復雜度。 　　MAX15054可提供2A驅動電流，具有極低(12ns，典型值)的傳輸延時和較短的上升、下降時間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
  • 關鍵字： Maxim  驅動器  MOSFET  MAX15054  

Linear 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅動器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器。 　　LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內驅動高端和低端 MOSFET 柵極，以高達 38V 的電源電壓工作。這個強大的驅動器可以吸收
  • 關鍵字： Linear  MOSFET  驅動器  LTC4449  

RS添加超過900種飛兆半導體裝置

  • 　　RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領先節(jié)能半導體技術供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。 　　新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 　　飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
  • 關鍵字： RS  電源  IGBT  MOSFET  Intellimax  

IR 推出適用于汽車的 DirectFET 2 功率 MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 　　IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統(tǒng)標準塑料封裝元件相比，可降低整體系統(tǒng)級尺寸和成本，實現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。 　　IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
  • 關鍵字： IR  MOSFET  AUIRF7739L2  AUIRF7665S2  DirectFET  

Vishay推出4款MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。 　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  FET  
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碳化硅 mosfet介紹

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