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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。 　　
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

MOSFET基礎：理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫...
  • 關鍵字： MOSFET  RDS  

Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

DC/DC 控制器驅(qū)動5V 邏輯電平 MOSFET 以實現(xiàn)高效率

  • 近日（2010年11月2日）凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
  • 關鍵字： MOSFET  

IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)推出一系列25V及3...
  • 關鍵字： MOSFET  

Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。該驅(qū)動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結合，可構成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級版本的工作溫度范
  • 關鍵字： Linear  MOSFET   

利用低門限電壓延長電池壽命

  •         降低能量消耗、延長電池壽命，這是每個工程師在設計便攜式電子產(chǎn)品時努力的目標。電池技術的進步非常緩慢，所以便攜式產(chǎn)品的設計者把延長電池壽命的重點放在電源管理上。多年以來，從事電源管理業(yè)務的半導體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設計者在設備的物理尺度內(nèi)實現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術，但還遠不能滿
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

用創(chuàng)新封裝簡化電源設計

  •          今天，電源工程師面臨的一個主要挑戰(zhàn)是如何減小商用電子產(chǎn)品中電源電路的電路板空間。在任何電子產(chǎn)品零售商店里轉(zhuǎn)上一圈，你就會發(fā)現(xiàn)個人電腦已經(jīng)變得更小，甚至小型化已經(jīng)成為許多電子設備的發(fā)展趨勢。隨著這些產(chǎn)品的尺寸不斷減小，它們的功能正在增加。在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更多功能，意味著要縮小留給電源電路的面積，這會導致一系列熱、功率損耗和布局方面的嚴峻挑戰(zhàn)。 　　工程師應對這種挑戰(zhàn)的一個辦法是利用在MOSFET硅技術和封裝
  • 關鍵字： 電源設計  MOSFET  PowerPAIR  

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

  • 　　英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實基礎。 　　
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

安森美半導體推出6款單通道功率MOSFET

  • 　　應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。 　　
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

IR推出車用平面MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。 　　
  • 關鍵字： IR   MOSFET  

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗

  • 摘要：升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率，設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開關電源設計中，效率是一個關鍵性的參
  • 關鍵字： 減少  開關  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

安森美半導體推出六款汽車用功率MOSFET器件

  • 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認證，采用小型扁平引腳封裝，兼具大額定電流及低導通阻抗，針對汽車...
  • 關鍵字： MOSFET  安森美半導體  

UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導體]

電源設計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分

  • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
  • 關鍵字： 溫升  1部分  MOSFET  估算  設計  電源  TI  德州儀器  
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