首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

Vishay推出4款MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。 　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  FET  

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)的導(dǎo)通損耗降低一半。 　　對(duì)于應(yīng)用二極管整流的48V開關(guān)電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當(dāng)前典型的效率水平高出兩個(gè)百分點(diǎn)，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  OptiMOS  

TI 推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET   

晶圓廠產(chǎn)能不足　MOSFET供貨警報(bào)響

  • 　　臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應(yīng)求現(xiàn)象，對(duì)臺(tái)系相關(guān)供應(yīng)商如富鼎、尼克森及茂達(dá)2010年第1季營收表現(xiàn)，將有顯著貢獻(xiàn)。 　　臺(tái)系MOSFET供應(yīng)商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內(nèi)部產(chǎn)能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動(dòng)作明顯落后其它業(yè)者，未來3個(gè)月可
  • 關(guān)鍵字： 晶圓代工  電源管理  MOSFET  

TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用的功率MOSFET

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的 MOSFET 可廣泛用于
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET  DualCool  NexFET  

Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  TrenchFET  

Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。 　　SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。 　　在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導(dǎo)通電阻分別
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiM400  

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

  • 　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。 　　通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 　　英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請(qǐng)撤訴。 　　作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  IGBT  

MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用

  • 　 下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  應(yīng)用  原理  電路  驅(qū)動(dòng)  

IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏

  • 　　新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 　　眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
  • 關(guān)鍵字： 器件  IGBT  封裝  測試  MOSFET  

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

  • 近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會(huì)有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會(huì)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  噪聲測試  方法研究    

安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

  • 　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。 　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計(jì)是為了提供強(qiáng)固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護(hù)特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護(hù)，以及用于過壓保護(hù)(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。 　　安森美半導(dǎo)體汽車
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  驅(qū)動(dòng)IC   

利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)

  • 利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC可以簡化開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，但這些IC必須正確運(yùn)用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)器周圍需要哪些補(bǔ)償元件，以及如何確定熱性能等是設(shè)計(jì)時(shí)要注意的方面。
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  開關(guān)電源  柵極驅(qū)動(dòng)器  200912  

D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

  • 　　市場需求逐步恢復(fù) 　　● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮 　　● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間 　　陳坤和 　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識(shí)到，困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容，許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費(fèi)電子市場，中國市場需求增長，推動(dòng)功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長期來看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  MOSFET  
共1485條 87/99 |‹ « 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 » ›|

碳化硅 mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473