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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性

  • 電動工具由于其設(shè)計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點,在各種場合得到了廣泛的應(yīng)用。電動工具一般采用直流有刷電機(jī)配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn),具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能,如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
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STY112N65M5:ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

  •         產(chǎn)品特性: 耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A) STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω(漏極電流為66A) 采用了改進(jìn)Super Junction結(jié)構(gòu)         應(yīng)用范圍: 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器
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意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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關(guān)于DSP應(yīng)用電源系統(tǒng)的低功耗設(shè)計研究

  • 自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來,DSP技術(shù)得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。DSP電源設(shè)計是DSP應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計的一...
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安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過壓保護(hù)及外部附件過流保護(hù)器件

  • ??????? NCP370保護(hù)便攜設(shè)備免受浪涌損傷,并控制反向電流來保護(hù)便攜設(shè)備附件,不需使用外部元件。 ? ??????? 2009年2月3日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件,為手機(jī)、MP3/4、個人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提
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業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

  •   Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。   現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 mΩ ,而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ (在 10 V
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Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

  •   Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。   雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?,能夠使功耗保持在絕對極小值。     ZXMS
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IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

  • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  漏極  導(dǎo)通  開關(guān)過程    

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

  • 功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實――硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

  • 關(guān)鍵字: MOSFET  表面貼裝  封裝    

如何進(jìn)行OLED電源設(shè)計

  •   有些設(shè)計者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式,產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下,也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器,如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。 手機(jī)Vdd解決方案   對于手機(jī)Vdd,可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu),可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達(dá)1.2MHz, 允許設(shè)計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
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尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響

  • 0 引言   近幾年,隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長,功率MOSFET的需求也越來越大。其中,TMOS由于溝道是垂直方向,在相同面積下,單位元胞的集成度較高,因此導(dǎo)通電阻較低,同時又具有較低的柵-漏電荷密度、較大的電流容量,從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度,被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。   低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成,為了降低導(dǎo)通電阻,同時不降低器件其他性能,如漏源擊穿電壓,最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距,在相同的面積下,增加元胞的集成度。基于此,本文借助了溝槽
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飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET

  •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027,滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET,F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET,帶有肖特基二極管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
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安森美半導(dǎo)體推出8款新器件用于消費和工業(yè)應(yīng)用

  •   2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)推出8款新的MOSFET器件,專門為中等電壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動、LED驅(qū)動器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中,這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA),安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量,免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。   這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作

  •   Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列,加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列,包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補MOSFET。   這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝,引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容,性價比具有競爭優(yōu)勢,不僅能減少物料清單,還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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