碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件,可用于簡單的線性調(diào)節(jié)器,在起動階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應所需電壓,然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案,這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出,新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝,能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線
- 關(guān)鍵字: MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET MOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi),可滿足以太網(wǎng)供電(Power-over-Ethernet,簡稱PoE)應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準,例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節(jié)省了80%的空間,或相當于典型48端口電路板中3
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET 解決方案
MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
- 一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作,并提供120A電流,且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。 與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比,功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今,并在可以預見的未來,開關(guān)速度正在逐步成為負載點(POL)電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言,開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字: MOSFET 模擬IC 電源
新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B
- SKHI22A/B是德國西門康(SEMIKRON)公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動模塊。
- 關(guān)鍵字: SKHI22A/B 模塊 驅(qū)動 IGBT/MOSFET 新型
基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計
- 摘 要:本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應用,其脈沖波形隨設(shè)計線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果,從而解決了隨機燒毀功率管的技術(shù)問題。關(guān)鍵詞:SG3525A;逆變電源;MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電,用太陽能為蓄電池充電,然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中,有時隨機出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象,本文對這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1 SG35
- 關(guān)鍵字: MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
碳化硅(sic)mosfet介紹
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