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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大

  • EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時，可實現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導(dǎo)體開關(guān)領(lǐng)域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結(jié)構(gòu)，其效率高于 IGBT，且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
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TechInsights：2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元，中國占一半

  • IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報告稱，隨著電池電動汽車的發(fā)展，汽車半導(dǎo)體的需求激增，寬帶隙技術(shù)的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復(fù)合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當(dāng)前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當(dāng)前約 364.11
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Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計算設(shè)備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
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英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動社會永續(xù)發(fā)展

  • 日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業(yè)績，同時探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務(wù)布局。 2022財年英飛凌全球營收達(dá)到142.18億歐元，利潤達(dá)到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營收中的占比高達(dá)37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場的地位，為公司全球業(yè)務(wù)的發(fā)展提供
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Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

  • 中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? （納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá)
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SiC融資火熱！今年以來超20家獲融資，金額超23億

  • 第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產(chǎn)值達(dá)22.8億美元，年成長41.4%。△Source：TrendForce集邦咨詢今年以來，SiC領(lǐng)域?qū)沂苜Y本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體、瞻芯電子、派恩杰等領(lǐng)先企業(yè)。天科合達(dá)天科合達(dá)完成了Pre-IPO輪融
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是時候從Si切換到SiC了嗎？

  • 在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅(qū)動系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達(dá)林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動力一直是降低損耗
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[向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率，相當(dāng)于半導(dǎo)體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用，而且在汽車
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碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場需求望爆發(fā)

  • 據(jù)報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
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SiC市場產(chǎn)值 今年估增4成

  • 根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產(chǎn)值達(dá)22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場景，能進(jìn)一步提升電動車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應(yīng)用為電動車與再生能源領(lǐng)域，分別在2022年已達(dá)到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產(chǎn)值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議，另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
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市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

  • 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中，甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下，無需額外的限流器模塊。不過，也有許多應(yīng)
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Ameya360：平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET區(qū)別

  • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結(jié)MOSFET相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯?，Si-MOSFET在這個比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  超級結(jié)MOSFET  

新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

  •   前  言  1824年，一種全新的材料被瑞典科學(xué)家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀(jì)90年代，Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸，再次激發(fā)
  • 關(guān)鍵字： SiC  新能源汽車  汽車電子  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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