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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!
- 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí),您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源,其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的,請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
- 在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料,它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體:將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。由于漏電流更小且?guī)陡?,器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作,而不會(huì)發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性,所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性,并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用,例如電源、純
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
- 日前,英飛凌科技繼續(xù)擴(kuò)大了與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC材料,協(xié)議后期則會(huì)助力英飛凌向8英寸晶圓的過(guò)渡。合作過(guò)
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng),將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
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功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南
- _____“?動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行?!卑凑毡粶y(cè)器件的封裝類型,功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)分為針對(duì)分立器件和功率模塊兩大類。長(zhǎng)期以來(lái),針對(duì)功率模塊的測(cè)試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額,針對(duì)分立器件的測(cè)試系統(tǒng)需求較少,選擇也很局限。隨著我國(guó)功率器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快,功率器件廠商和系統(tǒng)應(yīng)用企業(yè)也越來(lái)越重視功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,特別是針對(duì)分立器件的測(cè)試系統(tǒng)提出了越來(lái)越多
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功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
- 高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì),高頻工作導(dǎo)致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加,因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì),高頻工作導(dǎo)致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加,因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗有2個(gè)產(chǎn)生因素:1)開(kāi)關(guān)過(guò)程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時(shí),電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開(kāi)關(guān)損耗。其中,米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間,在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。圖1 功率MOSFET
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)
- Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列,共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品,以及?DIODES DSCxx120系列,共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
- 關(guān)鍵字: Diodes 碳化硅 肖特基勢(shì)壘二極管 SBD
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì),在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究?jī)r(jià)值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展,總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對(duì)高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對(duì)高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設(shè)備對(duì)更大電流的需求
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。近年來(lái),隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長(zhǎng),產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝,支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu),通過(guò)引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外
- 關(guān)鍵字: 東芝 MOSFET
Wolfspeed與采埃孚建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同發(fā)展未來(lái)碳化硅半導(dǎo)體項(xiàng)目
- ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國(guó)建立聯(lián)合研發(fā)中心,旨在進(jìn)一步提升在全球碳化硅系統(tǒng)和器件創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?!? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資,以支持全球最先進(jìn)、最大的碳化硅器件工廠的建設(shè)。全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術(shù)公司采埃孚集團(tuán)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,共同推動(dòng)碳化硅系統(tǒng)和器件技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)步。此次合作還包括采埃孚將向
- 關(guān)鍵字: Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟
- 功率半導(dǎo)體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉(zhuǎn)換成交流)、整流(交流轉(zhuǎn)換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉(zhuǎn)換)是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,包括新能源(風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車)、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
- 關(guān)鍵字: 功率器件 IGBT MOSFET 國(guó)產(chǎn)替代
特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導(dǎo)體迎來(lái)爆發(fā)
- 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開(kāi)售,其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車,可提高續(xù)航里程,對(duì)突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個(gè)新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料,那么寬禁帶半導(dǎo)體當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何?國(guó)內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別?未來(lái)發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 Model 3 SiC
羅姆(ROHM)第4代:技術(shù)回顧
- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代(Gen4)金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V(從650 V提升至750 V)和1200 V的金氧半場(chǎng)效晶體管,以及多個(gè)可用的TO247封裝元件,其汽車級(jí)合格認(rèn)證達(dá)56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車載充電器市場(chǎng)。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中,羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結(jié)構(gòu),在不影響短路耐受時(shí)間的情況下,使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?!彼麄冞€表示,“此外,顯著降低寄生電容使得開(kāi)關(guān)損耗比我們的上一代碳
- 關(guān)鍵字: 羅姆 ROHM MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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