碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片
- 2023 年 5月 16 日,中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流,集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示,以及過流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 隔離式降壓轉(zhuǎn)換器 功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動
Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊,助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨,2023年5月11日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊,大幅提升了對半導(dǎo)體工程師的設(shè)計支持標(biāo)準(zhǔn)。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊,用戶可以手動調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件,并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應(yīng)這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點,可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外,工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
- 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅(qū)動,傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組,成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢,因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行,同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低,需要管理的熱耗散較少,還有利于使
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MOSFET電路不可不知
- MOSFET已成為最常用的三端器件,給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET,現(xiàn)在集成電路的設(shè)計似乎是不可能的。它們非常小,制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性,模擬電路和數(shù)字電路都成功地實現(xiàn)了集成電路,MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出來。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個工作區(qū)。當(dāng)柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時,器件處于截止區(qū)。當(dāng)MOSFET用作
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SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
- 碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進的器件設(shè)計都會非常關(guān)注導(dǎo)通電阻,將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(biāo)(如電阻和開關(guān)損耗),與實際應(yīng)用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu)秀的器件應(yīng)該允許一定的設(shè)計自由度,以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應(yīng)各種工況的需要。然而,關(guān)鍵的性能指標(biāo)仍然是盡可能低的比電阻,并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認(rèn)為必不可少的幾個標(biāo)準(zhǔn),或許還
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基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線
- 4月24日,基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線,是基本半導(dǎo)體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹,基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線項目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專項支持,并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項目,廠區(qū)面積13000平方米,配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設(shè)備,主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等,產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。項目通過打造垂直整合制造模式,加快設(shè)計、制造共同迭代
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德國博世收購美國TSI,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域再添并購案
- 據(jù)國外媒體報道,德國博世集團于本周三表示,將收購美國芯片制造商TSI半導(dǎo)體公司的資產(chǎn),以擴大其碳化硅芯片(SiC)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。目前,博世和TSI公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議,但并未透露此次收購的具體細(xì)節(jié),且這項收購還需要得到監(jiān)管部門的批準(zhǔn)。資料顯示,TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前,主要開發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片,用于移動、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應(yīng)用。而博世在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)時間已超過60年,在全球范圍內(nèi)投資了數(shù)十億歐元,特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認(rèn)為,此次收購
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電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進展
- 近日,電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進展,6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片,指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片,是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn),實現(xiàn)一系列技術(shù)突破,在碳化硅外延領(lǐng)域,完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時,積極與國產(chǎn)設(shè)備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備,推動碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來,電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破,推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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功率半導(dǎo)體“放量年”,IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日,東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個階段進行,第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應(yīng)對人員的增加。此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報道,東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設(shè)備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動
- 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美,可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而,SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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三次油電平價 促成中國電動市場的大爆發(fā)
- 大家應(yīng)該還記得,當(dāng)遭受國補退坡重創(chuàng)的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復(fù)元氣,開始走出國補退坡的陰影時,市面上開始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動汽車,當(dāng)時的電動車市場呈現(xiàn)出來的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu):便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型(包括部分B級車和C級車)賣得很好,但在10-30萬的主流區(qū)間,電動車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內(nèi)乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺,歷時五年的時間,A00車已經(jīng)達(dá)到了90%以上的滲透率。這兩年來,市場格局風(fēng)云變幻,正如歐
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特斯拉虛晃一槍,碳化硅高速邁進
- 被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺再被關(guān)注,在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下,業(yè)界在一次次的探討中,逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會,并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中,DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動,以及A級純電車型動力總成解決方案,目標(biāo)是不斷提升整車度電里程和升油里程
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ROHM開發(fā)出超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
- 新推出40V~150V耐壓的共13款產(chǎn)品,非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機驅(qū)動全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V、36V、48V級電源供電的應(yīng)用,例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費電子設(shè)備用的電機等。近年來,全球電力需求量持續(xù)增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作
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特斯拉降低造車成本,國內(nèi)新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍?
- 在國內(nèi)新能源車市場,特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”,一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日,“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章(Master Plan Part 3)”,其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊,引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年,碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置,相關(guān)概念在資本市場上也一度受到熱捧,更具戲劇性的是,特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅(qū)”。如今,特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn),背后的真實意圖是什么?將會對國內(nèi)新能
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碳化硅(sic)mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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