碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

適用于運(yùn)輸領(lǐng)域的SiC：設(shè)計(jì)入門

簡(jiǎn)介在這篇文章中，作者分析了運(yùn)輸輔助動(dòng)力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對(duì)于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無窮大，導(dǎo)通時(shí)的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流
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采埃孚、意法半導(dǎo)體簽下碳化硅模塊供應(yīng)長(zhǎng)約

據(jù)外媒報(bào)道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導(dǎo)體(ST)采購(gòu)碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報(bào)道涉及供應(yīng)數(shù)量達(dá)數(shù)百萬的SiC模塊。報(bào)道稱，到2030年，采埃孚在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的訂單總額預(yù)計(jì)將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應(yīng)對(duì)蓬勃增長(zhǎng)的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應(yīng)商?！霸? 意法半導(dǎo)體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應(yīng)商，其在復(fù)雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗(yàn)符合我們的要求，最重要的是，該供應(yīng)商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊。”意法半導(dǎo)體汽車和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長(zhǎng)約，全球碳化硅市場(chǎng)高速成長(zhǎng)

據(jù)外媒報(bào)道，近日，德國(guó)汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購(gòu)合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購(gòu)數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對(duì)車規(guī)級(jí)SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu)，這些SiC器件將集成到該平臺(tái)中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計(jì)超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個(gè)汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計(jì)劃2025年
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碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)

近期，媒體報(bào)道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體是以國(guó)際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長(zhǎng)的多元需求，半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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汽車結(jié)構(gòu)性缺芯國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”

4月7日，中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立，將加快汽車功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，第一財(cái)經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”?！　∑嚱Y(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)　　有行業(yè)專家向第一財(cái)經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作，同時(shí)維持低導(dǎo)
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

因應(yīng)日趨嚴(yán)苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應(yīng)用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對(duì)高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
關(guān)鍵字： Infineon S7 MOSFET 電源整流

同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低噪聲特性要求很高的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來，全球電力供應(yīng)日趨緊張，這就要求設(shè)備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機(jī)所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中擔(dān)負(fù)功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對(duì)使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過添加部件和改變
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購(gòu)訂單

今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購(gòu)訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預(yù)計(jì)將在2023年第三季度末發(fā)貨。當(dāng)前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造，而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)包括更少的開關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強(qiáng)的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體需求的增加
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體盛美上海 Ultra C SiC 襯底清洗

連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們?cè)?jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實(shí)，但要將數(shù)以百億計(jì)的設(shè)備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標(biāo)準(zhǔn)的
關(guān)鍵字： Qorvo Matter SiC FET UWB

SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析；廠商談IGBT大缺貨

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源2全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模達(dá)82
關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體 IGBT 美光

正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率

優(yōu)化電源設(shè)計(jì)以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比，以提高電源設(shè)計(jì)的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡(jiǎn)化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí)，如何恰當(dāng)分配 HS-FET 和 LS-FET 的內(nèi)阻以獲得最佳效率，這對(duì)電源工程師來說是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。 MOSFET的結(jié)構(gòu)和損耗組成MOSFE
關(guān)鍵字： MPS MOSFET

GaN 出擊

自上世紀(jì)五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購(gòu)氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃
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