碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

聯(lián)電明年產(chǎn)能搶購(gòu)一空

　　8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動(dòng)，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC，以及電源管理IC客戶搶購(gòu)一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。　　過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅(qū)動(dòng)IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機(jī)導(dǎo)入指紋辨識(shí)芯片，非蘋陣營(yíng)明年全面跟進(jìn)，相關(guān)芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場(chǎng)榮景。　　此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)也為了提升競(jìng)爭(zhēng)力，相繼轉(zhuǎn)入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。　　包括指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理芯片三大半
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42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨(dú)特的 Silent Switcher® 架構(gòu)，整合了擴(kuò)展頻譜調(diào)制，即使開關(guān)頻率超過 2MHz 時(shí)，依然能夠?qū)?EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關(guān)頻率為 2MHz 時(shí)可提供高達(dá) 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評(píng)估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國(guó)國(guó)防部制定的標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當(dāng)面對(duì) MIL-STD-1275D 中嚴(yán)格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時(shí)，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應(yīng)用而言，要滿足該標(biāo)準(zhǔn)就是簡(jiǎn)單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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ROHM：國(guó)際半導(dǎo)體巨頭的“小”追求和“低”要求

　　近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，智能手機(jī)、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設(shè)備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設(shè)備的微型化，設(shè)備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導(dǎo)體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時(shí)，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對(duì)電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個(gè)領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢(shì)。　　談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。　　　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動(dòng)從12 Vgs起，非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
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意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽(yáng)能微逆變器廠商對(duì)電源能效的要求，同時(shí)提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結(jié)晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
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意法半導(dǎo)體(ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器成功登陸彗星

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器(Rosetta)及其菲萊號(hào)登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號(hào)和菲萊號(hào)內(nèi)有10,000余顆意法半導(dǎo)體研制的高可靠性抗輻射芯片。　　在歷經(jīng)10多年，長(zhǎng)達(dá)60億公里的漫長(zhǎng)太空之旅后，羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器終于抵達(dá)并成功釋放菲萊號(hào)登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號(hào)登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

單相正弦波逆變電源

　　摘要：本系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進(jìn)調(diào)整。以MSP430單片機(jī)為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負(fù)載調(diào)整率低于1%，采用開關(guān)電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達(dá)到90%，采用輸入電流前饋法來估計(jì)輸出電流以實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)以及自恢復(fù)功能。　　引言　　本次競(jìng)賽為全封閉式，不準(zhǔn)利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊(duì)在兩天時(shí)間內(nèi)完成題
關(guān)鍵字：正弦波 MSP430 單片機(jī) SPWM MOSFET 201412

基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設(shè)計(jì)

　　引言　　在照明技術(shù)中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因?yàn)槠鋺?yīng)用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國(guó)為了推廣電子節(jié)能燈的應(yīng)用，采取了財(cái)政補(bǔ)貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國(guó)百姓和消費(fèi)者。　　所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對(duì)鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡(jiǎn)單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長(zhǎng)。本文以飛兆半導(dǎo)體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
關(guān)鍵字： FAN7710V 電子鎮(zhèn)流器 MOSFET

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

　　大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)、探測(cè)等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對(duì)固態(tài)線性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏
關(guān)鍵字：功率放大器 MOSFET

同步整流技術(shù)DC-DC模塊電源

　　1、概述　　　　2、基本同步整流電路　　如圖1所示電路，其副邊為基本同步整流電路，關(guān)鍵波形見圖2。當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1開通時(shí)，通過變壓器T1向副邊傳輸能量，副邊工作在整流狀態(tài)，此時(shí)SR1的Vgs電壓為變壓器副邊繞組電壓，極性為正，SR2的Vgs電壓為零，因而SR1導(dǎo)通，SR2關(guān)斷;當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1關(guān)斷時(shí)，變壓器T1原邊繞組的勵(lì)磁電流和負(fù)載電流流經(jīng)C1，C1上的電壓開始上升，當(dāng)C1電壓升至Vin時(shí)，原邊繞組中的負(fù)載電流下降為0，在勵(lì)磁電流的作用下原邊勵(lì)磁電感Lm與電容
關(guān)鍵字： DC-DC 整流 MOSFET

你造嗎？四大MOSFET實(shí)用技巧

　　MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
關(guān)鍵字： MOSFET MOS

英飛凌推出基于ARM內(nèi)核的嵌入式功率系列 (Embedded Power IC)，以用于汽車應(yīng)用的智能電機(jī)控制

　　英飛凌科技股份有限公司今日宣布，基于ARM®內(nèi)核的嵌入式功率系列橋式驅(qū)動(dòng)器提供無以倫比的集成水平，以應(yīng)對(duì)智能電機(jī)控制在廣泛的汽車應(yīng)用中日益增長(zhǎng)的趨勢(shì)。英飛凌利用ARM® Cortex™-M3處理器以及非易失存儲(chǔ)器、模擬和混合信號(hào)外設(shè)、通信接口連同 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，將高性能微控制器集成到單芯片上，可謂業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。因此，英飛凌嵌入式功率系列為通常與16 位相關(guān)的應(yīng)用空間實(shí)現(xiàn)了 32 位的性能。目前提供的嵌入式功率系列第一批產(chǎn)品的樣品適用于采用三相(無刷直流)電機(jī)的TL
關(guān)鍵字：英飛凌 ARM MOSFET

IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用擴(kuò)充StrongIRFET系列新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)、熱插拔及開關(guān)電源 (SMPS) 二次側(cè)同步整流等應(yīng)用。　　全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、極高的載流能力、軟體二極管，以及有助于提高抗噪性的3
關(guān)鍵字：國(guó)際整流器 MOSFET IRFS7730-7P

高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

　　近日，LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問題和親身設(shè)計(jì)心得，為大家分享總結(jié)如下：　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個(gè)，所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件，這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性，因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小，這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度上升時(shí)故障從而影響LED燈具的可靠性，正確的做法是要選用MOSFET器件，MO
關(guān)鍵字： LED MOSFET PFC