碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)

　　摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。　　近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上，ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析，并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開(kāi)發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。　　各種功率器件的比較　　功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
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意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應(yīng)用帶來(lái)寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來(lái)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的逆變器、太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動(dòng)器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。　　意法半導(dǎo)體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級(jí)。這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵

　　要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得。　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個(gè)，所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件，這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性，因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小，這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度
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Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能夠利用省下來(lái)的空間來(lái)提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、便攜式媒體播放器，以及對(duì)其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類型消費(fèi)性產(chǎn)品。　　DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導(dǎo)通電阻來(lái)減低功耗。此外，其雙N通
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哪一個(gè)更簡(jiǎn)單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

　　我曾經(jīng)遇到過(guò)節(jié)假日有客人上門(mén)，必須跑到商店，在關(guān)門(mén)前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽(tīng)說(shuō)單單作為動(dòng)詞，他就有645個(gè)意思，并且還在不斷增加!表面上看起來(lái)很簡(jiǎn)單的事情實(shí)際上會(huì)很復(fù)雜。想一想，功率MOSFET只有三個(gè)引腳(柵極、源極、漏極)。長(zhǎng)假過(guò)后，當(dāng)回到辦公室開(kāi)始設(shè)計(jì)全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時(shí)，我想到看起來(lái)簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì)有多么復(fù)雜，還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時(shí)會(huì)有什么不同。　　熱插拔電路使用一個(gè)功率
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德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

　　日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現(xiàn)了比同類競(jìng)爭(zhēng)器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計(jì)，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.ti.co
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中國(guó)成功研制國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片年產(chǎn)7萬(wàn)片

　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　不久前，中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　第三代半導(dǎo)體材料　　研究人員告訴記者，上世紀(jì)
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Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提升轉(zhuǎn)換效率

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間，有助于盡量降低開(kāi)關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。　　新驅(qū)動(dòng)器作為低功率控制IC的高增益緩沖級(jí)，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動(dòng)電流
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Exar推出通用PMIC輸入電壓高達(dá)40V,適合任何FPGA，SoC或DSP

　　領(lǐng)先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過(guò)I2C總線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源狀態(tài)，動(dòng)態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個(gè)可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時(shí)序控制，以加速電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。　　XRP77129使用Exar設(shè)計(jì)工具P
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LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起

　　第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。　　　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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封裝寄生電感是否會(huì)影響MOSFET性能？

　　I.引言　　高效率已成為開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來(lái)越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開(kāi)發(fā)了快速開(kāi)關(guān)器件，舉例來(lái)說(shuō)，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，以降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些快速開(kāi)關(guān)器件容易觸發(fā)開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)沖。這對(duì)SMPS設(shè)計(jì)中電路板布局帶來(lái)了困難，并且容易引起了柵極信號(hào)振蕩。為了克服開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)沖，設(shè)計(jì)人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開(kāi)關(guān)速度，抑制過(guò)沖，但這會(huì)造成相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于采用標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝的快速開(kāi)關(guān)器件，總是存在效率與易用性的
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從Si功率模塊到SiC基板，中國(guó)企業(yè)垂青功率半導(dǎo)體

　　
關(guān)鍵字：功率模塊 MOSFET IGBT

Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動(dòng)態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強(qiáng)不間斷電源系統(tǒng)的完整性。　　新控制器通過(guò)以這種方式驅(qū)動(dòng)MOSFET，同時(shí)提升標(biāo)準(zhǔn)12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

　　東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開(kāi)關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動(dòng)。　　注：　　·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。　　·[2]Qoss：輸出電荷。　　主要特性　　&m
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IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì)，適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。　　　
關(guān)鍵字：國(guó)際整流器 MOSFET DC-DC