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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進

  • 被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅平臺再被關注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會，并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網(wǎng)絡解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案，目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
  • 關鍵字： 特斯拉  碳化硅  

特斯拉降低造車成本，國內新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍？

  • 在國內新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉，背后的真實意圖是什么？將會對國內新能
  • 關鍵字： 特斯拉  碳化硅  新能源車企  

適用于運輸領域的SiC：設計入門

  • 簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標應用的影響。理想開關在關斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態(tài)電流
  • 關鍵字： SiC  Microchip  

采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長約

  • 據(jù)外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報道涉及供應數(shù)量達數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商?！霸? 意法半導體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊?！币夥ò雽w汽車和分立
  • 關鍵字： 采埃孚  意法半導體  碳化硅  

頭部企業(yè)再簽供貨長約，全球碳化硅市場高速成長

  • 據(jù)外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
  • 關鍵字： 碳化硅  意法半導體  

碳化硅風頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

  • 近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進化半導體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
  • 關鍵字： 碳化硅  氧化鎵  

汽車結構性缺芯 國產(chǎn)碳化硅功率半導體有望四季度“上車”

  • 4月7日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間，第一財經(jīng)記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會，降本提質是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。　　汽車結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會　　有行業(yè)專家向第一財經(jīng)記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
  • 關鍵字： 汽車電子  功率半導體  碳化硅  

Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
  • 關鍵字： Diodes  碳化硅 MOSFET  

貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

  • 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
  • 關鍵字： 貿澤  安森美  EliteSiC  碳化硅  

功率半導體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單

  • 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優(yōu)勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
  • 關鍵字： 功率半導體  盛美上海  Ultra C SiC  襯底清洗  

連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

  • ３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
  • 關鍵字： Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

SiC功率半導體市場分析；廠商談IGBT大缺貨

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
  • 關鍵字： SiC  功率半導體  IGBT  美光  

GaN 出擊

  • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
  • 關鍵字： GaN  SiC  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 關鍵字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊   

OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大

  • EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
  • 關鍵字： Qorvo  OBC  SiC  
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碳化硅（sic）介紹

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