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集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)集邦咨詢公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計營收 134.8 億美元，環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價態(tài)度明確，預估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
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消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場份額差距已縮小至 4.4%

  • 11 月 28 日消息，上周就有研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動的人工智能領(lǐng)域應用需求增加的推動下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達到了 35%，是他們自成立以來市場份額最高的一個季度。而從最新報告來看，DRAM 市場份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場份額差距。研究機構(gòu)的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
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三季度全球 DRAM 銷售額達 132.4 億美元，連續(xù)兩個季度環(huán)比增長

  • 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報道，從去年下半年開始，受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產(chǎn)品的價格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元，環(huán)比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
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AI推動SK海力士DRAM市場份額達到有史以來最高水平

  • 據(jù)外媒報道，在OpenAI訓練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語言模型的賽道之后，外媒就預計對AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加，半導體行業(yè)的多家廠商，將迎來新的發(fā)展機遇。市場研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲芯片廠商SK海力士就已從人工智能應用需求增加中獲益，他們?nèi)径仍谌駾RAM市場的份額達到了35%，占據(jù)了超過三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來，在全球DRAM市場份額最高的一個季度。由于生成式人工
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存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代

  • IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對
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芯片設(shè)計中，DRAM 類型的選擇正在變復雜

  • 選擇越多，選擇越難。
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司

  • 在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
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通脹沖擊消費電子終端買氣，2022年DRAM模組廠營收年減4.6%

  • 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應的領(lǐng)域不同，使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產(chǎn)品供應鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

  • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕

  • IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經(jīng)濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導入EUV
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