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預(yù)測(cè)2015年DRAM產(chǎn)業(yè)五大趨勢(shì)

  • 　　2014年是 DRAM 產(chǎn)業(yè)獲利頗為豐收的一年。受惠于全球智慧型手機(jī)持續(xù)熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式記憶體; TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 預(yù)估， 2014年行動(dòng)式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機(jī)會(huì)突破40%大關(guān)。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理郭祚榮表示，拜行動(dòng)式記憶體需求暢旺所賜，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出相對(duì)減少，反倒讓模組價(jià)格始終維持在高價(jià)水位，2014年4GB模組均價(jià)約32美元，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體毛利率平均達(dá)40%以上。各DRAM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  英特爾  

研調(diào)：明年DRAM產(chǎn)值估增16%，產(chǎn)業(yè)獲利能力看升

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange預(yù)估，全球2015年DRAM產(chǎn)值將達(dá)541億美元，年增16%，為市場(chǎng)穩(wěn)定、獲利成長(zhǎng)的一年。DRAMeXchange指出，受惠于全球智慧型手機(jī)持續(xù)熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式記憶體，預(yù)估2014年行動(dòng)式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機(jī)會(huì)突破40%大關(guān)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示，拜行動(dòng)式記憶體需求暢旺所賜，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出相對(duì)減少，反倒讓模組價(jià)格始終維持在高價(jià)水位，2014年4GB模組均價(jià)
  • 關(guān)鍵字： TrendForce  DRAM  三星  

半導(dǎo)體前景看好　韓后段制程設(shè)備廠笑開懷

  • 　　南韓半導(dǎo)體后段制程設(shè)備廠下半年?duì)I收展望亮起綠燈，韓系半導(dǎo)體大廠三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKHynix)將擴(kuò)產(chǎn)DRAM，增加后段制程處理量，臺(tái)灣及大陸將擴(kuò)充晶圓代工設(shè)備并增加非內(nèi)存產(chǎn)量等，將為南韓半導(dǎo)體后段制程設(shè)備廠帶來正面影響。 　　據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo)，TechWing和HanmiSemiconductor第3季營(yíng)收將出現(xiàn)二位數(shù)以上的成長(zhǎng)，UniTest與2013年同期相比也可望創(chuàng)造亮眼的成果。 　　2014年三星和SK海力士擴(kuò)產(chǎn)DRAM和NANDFlash，
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搶食蘋果A9失利 三星多余產(chǎn)能恐轉(zhuǎn)進(jìn)DRAM

  • 　　三星爭(zhēng)奪蘋果新世代處理器訂單失利，半導(dǎo)體設(shè)備廠分析，將迫使三星將多余產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM或快閃存儲(chǔ)器，恐對(duì)明年下半年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)形成新的隱憂。 　　三星日前一再表示，未來會(huì)節(jié)制性推升產(chǎn)能，但市場(chǎng)持續(xù)關(guān)注三星是否會(huì)重新拿回大部分蘋果新世代處理器訂單，因?yàn)槿羧桥c蘋果重修舊好，將可抵銷手機(jī)銷售的不利，同時(shí)減緩將產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM或快閃存儲(chǔ)器的壓力。 　　法人分析，三星因蘋果處理器代工訂單流失，加上自家手機(jī)銷售不佳，導(dǎo)致獲利主軸重回存儲(chǔ)器，今年首季存儲(chǔ)器占總獲利僅14%，但第3季占比已竄升至近六成，其中，1
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第三季全球移動(dòng)存儲(chǔ)器營(yíng)收34.6億美元

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查顯示，全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收在 2014年第三季達(dá)34.6億美元，季成長(zhǎng)6%，占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導(dǎo)體(Samsung)不意外仍穩(wěn)居第三季行動(dòng)式記憶體龍頭，而且市占首度突破50%，儼然成為一方霸主，讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。 　　雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài)，導(dǎo)致第三季行動(dòng)式記憶體價(jià)格小幅度下滑，但因位元產(chǎn)出增加，全球行動(dòng)式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
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存儲(chǔ)器再成三星最大獲利來源　4Q產(chǎn)值恐較前季衰退

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)過去最大獲利來源─半導(dǎo)體事業(yè)，自2011年第3季起被其另一獲利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事業(yè)部取代，至3年后的2014年第3季，方因IM事業(yè)獲利急轉(zhuǎn)直下，供需結(jié)構(gòu)已趨于穩(wěn)定的半導(dǎo)體事業(yè)再度成為三星最大獲利來源。 　　因包括標(biāo)準(zhǔn)型(Standard)、行動(dòng)裝置、伺服器用DRAM位元需求量皆較前季增溫，三星2014年第3季DRAM營(yíng)收較前季成長(zhǎng)18.7%，達(dá)5.32兆
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制程在競(jìng)賽 獲利很穩(wěn)定

  • 　　三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年制程進(jìn)入20納米世代，盡管市場(chǎng)憂心恐造成供給大增、壓抑價(jià)格走勢(shì)，但DRAM業(yè)者強(qiáng)調(diào)，制程微縮并非一、兩天可以完成，期間將遭遇技術(shù)瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問題，因此盡管資本支出龐大，明年DRAM價(jià)格仍可望持穩(wěn)，業(yè)者仍會(huì)穩(wěn)定獲利。 　　集邦協(xié)理吳雅婷表示，三星及SK海力士在制程推進(jìn)至25納米期間，都吃足苦頭，預(yù)料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程，同樣也將面臨極大的挑戰(zhàn)。三星首次進(jìn)入28納米制程時(shí)，因良率無法有效提升，黯然宣告中止，部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)回35納米，
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DRAM報(bào)價(jià)下跌 行情恐反轉(zhuǎn)

  • 　　DRAM行情出現(xiàn)反轉(zhuǎn)訊號(hào)，專業(yè)報(bào)價(jià)機(jī)構(gòu)集邦科技昨(17)日公布11月上旬DRAM合約價(jià)終止連續(xù)半年漲勢(shì)，最高較10月下旬下跌4.5%，預(yù)期明年首季將續(xù)跌5%至7%，法人憂心隨著報(bào)價(jià)走弱，恐不利南亞科、華亞科短期營(yíng)運(yùn)。 　　盡管合約價(jià)走勢(shì)露疲態(tài)，南亞科資深副總經(jīng)理李培瑛強(qiáng)調(diào)，目前DRAM市況穩(wěn)定，個(gè)人計(jì)算機(jī)及服務(wù)器市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，但低功率、消費(fèi)及現(xiàn)貨市況持平。他預(yù)估，南亞科本季整體產(chǎn)品平均售價(jià)估計(jì)將較第3季下滑3%至5%，整體營(yíng)運(yùn)還是會(huì)不錯(cuò)。 　　據(jù)悉，三星日前與個(gè)人計(jì)算機(jī)大廠惠普，協(xié)議第4季標(biāo)準(zhǔn)型
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韓國企業(yè)在DRAM市場(chǎng)占比逼近全球70%

  • 　　韓國國際廣播電臺(tái)報(bào)道：韓國企業(yè)在世界半導(dǎo)體DRAM市場(chǎng)的占比已逼近70%，創(chuàng)歷來最高紀(jì)錄。 　　據(jù)半導(dǎo)體電子交易網(wǎng)“Dramexchange”發(fā)布的報(bào)告顯示，今年第三季度在世界半導(dǎo)體DRAM市場(chǎng)上的占有率，韓國為69.7%，美國為24.2%，中國臺(tái)灣為6.1%。 　　這是韓國繼2012年第四季度創(chuàng)下69.6%紀(jì)錄后的最高紀(jì)錄。半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為，隨著三星電子和SK海力士的產(chǎn)量持續(xù)增加，韓國占比將有望超過70%。
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DRAMeXchange:DRAM均價(jià)逐季降 產(chǎn)值明年續(xù)升

  • 　　根據(jù)DRAM研調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新研究報(bào)告顯示，第三季三大DRAM廠積極調(diào)配旗下產(chǎn)能以應(yīng)付蘋果iPhone新機(jī)龐大行動(dòng)式存儲(chǔ)器的需求﹔在排擠效應(yīng)下，標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器產(chǎn)出減少，帶動(dòng)第三季合約價(jià)格持續(xù)上漲，供貨吃緊下標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器蟬聯(lián)毛利最高的DRAM產(chǎn)品。DRAMeXchange表示，明年雖然平均銷售單價(jià)將逐季往下，但在位元產(chǎn)出仍持續(xù)增加的拉抬下，DRAM整體產(chǎn)值將持續(xù)攀升。 　　該機(jī)構(gòu)表示，今年第三季DRAM產(chǎn)值達(dá)120億美元，較上季成長(zhǎng)11%，單季營(yíng)收再度創(chuàng)下新高。在產(chǎn)業(yè)寡占結(jié)構(gòu)下，市場(chǎng)仍
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  存儲(chǔ)器  

移動(dòng)存儲(chǔ)器全球產(chǎn)能大陸吃掉近3成，2015年突破4成

  • 　　隨著大陸市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放，GDP成長(zhǎng)率呈現(xiàn)高度的成長(zhǎng)，伴隨而來的就是驚人的消費(fèi)潛力﹔無論是PC、智能型手機(jī)與平板市場(chǎng)都把大陸市場(chǎng)列入第一戰(zhàn)區(qū)。根據(jù)存儲(chǔ)器研調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新研究顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年大陸市場(chǎng)在DRAM的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億美元，占全球產(chǎn)能19.2%。 　　從DRAM市場(chǎng)來觀察，PC-DRAM在大陸市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來到15%，內(nèi)需市場(chǎng)的強(qiáng)勁讓PC龍頭聯(lián)想逐漸壯大，以并購的方式擠身一線大廠之列﹔目前全球PC出貨量與惠普在伯仲之間，在大陸市
  • 關(guān)鍵字： DRAM  PC-DRAM  

第三季DRAM產(chǎn)值120億美元、成長(zhǎng)11%

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新研究報(bào)告顯示， 2014年第三季三大DRAM廠積極調(diào)配旗下產(chǎn)能，以因應(yīng)蘋果(Apple) iPhone 新機(jī)龐大行動(dòng)式記憶體的需求，在排擠效應(yīng)下，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出減少，帶動(dòng)第三季合約價(jià)格持續(xù)上漲，供貨吃緊下標(biāo)準(zhǔn)型記憶體蟬聯(lián)毛利最高的DRAM產(chǎn)品。DRAMeXchange表示，2014年第三季DRAM產(chǎn)值達(dá)120億美元，較上季成長(zhǎng)11%，單季營(yíng)收再度創(chuàng)下新高。 　　在各DRAM廠產(chǎn)品比重調(diào)配得宜與先進(jìn)制程產(chǎn)出增加下，其獲利能力皆
  • 關(guān)鍵字： DRAM  海力士  三星  

下游需求高企 2014年中國內(nèi)存芯片市場(chǎng)將占全球兩成

  • 　　TrendForce最新研究報(bào)告顯示，隨著中國市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放，GDP成長(zhǎng)率呈現(xiàn)高度的成長(zhǎng)，所伴隨而來的就是驚人的消費(fèi)潛力，無論是PC、智能型手機(jī)與平板市場(chǎng)都把中國市場(chǎng)列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年中國市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。 　　從DRAM市場(chǎng)來觀察，PC-DRAM在中國市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來到15%，內(nèi)需市場(chǎng)的強(qiáng)勁
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  Flash  

全球半導(dǎo)體市況良好　韓廠火熱、日廠躊躇

  • 　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)第3季，以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上最高營(yíng)收紀(jì)錄，景氣持續(xù)樂觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長(zhǎng)最多，南韓業(yè)者營(yíng)收屢創(chuàng)新高，然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長(zhǎng)衰退跡象。 　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)宣布，第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球營(yíng)收，與前年同期相比成長(zhǎng)8.0%，以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上單季最高紀(jì)錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)在7月預(yù)測(cè)的年度成長(zhǎng)值6.5%。 　　SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導(dǎo)
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

美光科技將在日本增產(chǎn)智能手機(jī)存儲(chǔ)器

  • 　　美國半導(dǎo)體企業(yè)美光科技(Micron Technology)將增產(chǎn)用于智慧手機(jī)等產(chǎn)品的半導(dǎo)體記憶體。將向去年收購的原爾必達(dá)記憶體位于日本廣島的工廠投資1千億日元，力爭(zhēng)2015財(cái)年(截 至15年8月)內(nèi)將產(chǎn)能提高20%。今年美光科技在該工廠時(shí)隔3年重啟大規(guī)模投資，計(jì)劃通過積極投資來追趕在相關(guān)領(lǐng)域位居全球首位的韓國三星電子。 　　美光科技將在廣島增產(chǎn)使用最尖端微細(xì)加工技術(shù)(線寬為20奈米)的DRAM。和上一代25奈米線寬相比，從1枚晶圓上可以獲得的半導(dǎo)體晶片數(shù)量將增加約 20%，生產(chǎn)效率將大幅提高。美光
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  存儲(chǔ)器  DRAM  
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