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為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計時,有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)?
- MEMS加速度計對于檢測故障情況、幫助防止意外斷電或避免發(fā)生其他代價高昂的事件至關(guān)重要。作為一名負(fù)責(zé)為狀態(tài)監(jiān)控(CbM)應(yīng)用選擇和安裝合適傳感器的工程師,需要在做出選擇之前仔細(xì)考慮多個關(guān)鍵參數(shù),然而這些參數(shù)常常被忽視。本文將討論您在做出選擇時應(yīng)特別留意的一些關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)。問題:為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計時,有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)?答案:在MEMS加速度計的選擇過程中,經(jīng)常被低估或忽視的關(guān)鍵參數(shù)有傳感器的量程、帶寬和諧振頻率。如果這些參數(shù)太低或僅能勉強滿足需求,將會導(dǎo)致測量效果不理想。簡介MEMS加速
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面向CMUT陣元的阻抗匹配設(shè)計與聲場特性測試
- 電容式微機械超聲換能器(CMUT)是利用MEMS微加工技術(shù)制作的超聲換能器,具有低聲阻抗、寬帶寬、體積小等優(yōu)點。然而,相比于壓電式超聲換能器,CMUT存在發(fā)射靈敏度較低、輸出聲壓不夠高等問題。據(jù)麥姆斯咨詢報道,為了解決CMUT聲發(fā)射能力弱、輸出聲壓低的問題,中北大學(xué)研究人員根據(jù)CMUT工作原理與阻抗匹配理論設(shè)計了匹配電路,實現(xiàn)信號源端到CMUT的最大功率傳遞,以此提升CMUT的聲發(fā)射性能,為CMUT的實際應(yīng)用提供解決方案。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《傳感器與微系統(tǒng)》期刊。單個CMUT陣元由許多CMUT微元構(gòu)成,
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
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- 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Pickering推出新款基于MEMS的射頻開關(guān)模塊
- 與Menlo Microsystems的合作將新的開關(guān)技術(shù)引入PXI射頻多路復(fù)用開關(guān),以顯著地提高性能。2023年6月26日,于英國Clacton-on-sea。Pickering Interfaces公司作為生產(chǎn)用于電子測試及驗證領(lǐng)域的信號開關(guān)與仿真解決方案的主要廠商,于今日發(fā)布了一款采用新的開關(guān)技術(shù)的PXI/PXIe射頻多路復(fù)用開關(guān)模塊新產(chǎn)品。新款基于MEMS的射頻多路復(fù)用開關(guān)是無線通訊和半導(dǎo)體測試的理想選擇,與傳統(tǒng) EMR(電磁繼電器)開關(guān)相比,操作壽命大大延長(高達300倍)、切換速度更快(高達6
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意法半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個MEMS防水壓力傳感器
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- ■ 1260 hPa和4060 hPa雙量程絕對壓力氣壓計,數(shù)字輸出,Qvar?檢測技術(shù),防水封裝■ 測量精度高,耐候性出色,適用于燃?xì)獗?、水表、天氣監(jiān)測、空調(diào)和家用電器2023年6月13日,中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)在工業(yè)市場上推出了首款 MEMS 防水/防液絕對壓力傳感器,納入十年供貨保證計劃。意法半導(dǎo)體 AMS MEMS 子產(chǎn)品部總經(jīng)理 Simone Ferri
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電容式MEMS壓力傳感器的優(yōu)化設(shè)計
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- 由于MEMS壓力傳感器的制作過程中存在著許多不可控因素,例如,制備環(huán)境、工藝誤差、設(shè)備誤差等,因此,整個MEMS壓力傳感器的穩(wěn)健優(yōu)化設(shè)計是極其重要的。本文對電容式MEMS壓力傳感器進行優(yōu)化設(shè)計,以期為后續(xù)研究開發(fā)電容式MEMS壓力傳感器奠定必要的基礎(chǔ)依據(jù)。
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3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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創(chuàng)新的60 GHz雷達傳感器,實現(xiàn)非接觸式監(jiān)測心跳和呼吸頻率等生命體征
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- 據(jù)麥姆斯咨詢報道,使用雷達傳感器監(jiān)測生命體征的研究已經(jīng)進行了幾十年。該技術(shù)能夠?qū)π奶秃粑l率進行持續(xù)的非接觸式監(jiān)測,并具有低功耗和小PCB尺寸的優(yōu)勢。憑借創(chuàng)新的60 GHz雷達傳感器,其在消費電子產(chǎn)品中的應(yīng)用正在成為現(xiàn)實。在老齡化社會中,健康監(jiān)測將發(fā)揮越來越重要的作用。健康問題最好能在早期階段被發(fā)現(xiàn),從而避免住院或至少盡可能縮短住院時間。人們希望在自己熟悉的環(huán)境中過著自主和獨立的生活,直到晚年。此外,年輕人對更加個性化和自主的醫(yī)療服務(wù)感興趣。通過隨時監(jiān)測健康狀態(tài),人們有可能在早期發(fā)現(xiàn)疾病和精神壓力并采取
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平面→立體,3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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外媒:存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力??紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
- 關(guān)鍵字: 存儲 3D DRAM
芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”
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- 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn),近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計,這一事件引起了我們極大的關(guān)注?!?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
- 關(guān)鍵字: 芯和半導(dǎo)體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎
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