3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

AOI+AI+3D 檢測(cè)鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢(shì)，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對(duì)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢(shì)，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動(dòng)化及AI的過(guò)程中，傳統(tǒng)人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線(xiàn)人員配置的傳統(tǒng)生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線(xiàn)及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測(cè)儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢(shì)，還能針對(duì)缺陷或瑕疵及時(shí)修復(fù)、舍棄，降低不必要的時(shí)間成本與人力成本，快速穩(wěn)定且
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項(xiàng)新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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ADI發(fā)布新款MEMS：從技術(shù)出發(fā)，改變生活

　　我們常常聽(tīng)到一句話(huà)“科技改變生活”，在智能化數(shù)字化的今天，形形色色的硬件設(shè)備無(wú)時(shí)無(wú)刻不在改變著我們的生活。而在生活中常見(jiàn)的運(yùn)動(dòng)手表、汽車(chē)傳感器、災(zāi)害預(yù)警系統(tǒng)內(nèi)，MEMS傳感器是必不可少的器件之一。　　那么到底什么是MEMS？MEMS即微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS,Micro-Electro-Mechanical System），也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技半導(dǎo)體裝置。微機(jī)電系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。8月29日，在ADI的MEMS新品媒
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MEMS麥克風(fēng)已成消費(fèi)市場(chǎng)的主流產(chǎn)品選擇

麥克風(fēng)已經(jīng)是眾多電子產(chǎn)品中內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)器件，從可穿戴設(shè)備到家庭助理，越來(lái)越多的設(shè)備被要求“聽(tīng)到”它們的環(huán)境，并隨之做出相對(duì)的反應(yīng)。本文將全面概述麥克風(fēng)類(lèi)型和基本原理，以及CUI Devices微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)的產(chǎn)品特性。ECM和MEMS麥克風(fēng)的技術(shù)差異隨著麥克風(fēng)應(yīng)用的增加，對(duì)麥克風(fēng)的靈敏度和體積的要求也越來(lái)越高。目前用來(lái)構(gòu)建麥克風(fēng)的兩種最常見(jiàn)的技術(shù)是MEMS和駐極體電容，以下將先介紹MEMS和駐極體電容麥克風(fēng)（ECM）的基礎(chǔ)知識(shí)，比較技術(shù)之間的差異，并概述每種解決方案的優(yōu)勢(shì)。MEMS麥克風(fēng)由放置
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車(chē)智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿(mǎn)足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專(zhuān)注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟?lèi)的生活和工作方式。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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ST發(fā)布多款新型MEMS傳感器，突破性能功耗比，解鎖可穿戴應(yīng)用新場(chǎng)

意法半導(dǎo)體即將發(fā)布一系列具有更高的性能功耗比的新型傳感器。LSM6DSV16X是具有機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核的MEMS慣性傳感器的最新成員，具有更高精確度和更低功耗。此外，Qvar靜電感測(cè)也首次集成于這類(lèi)器件，能夠監(jiān)測(cè)環(huán)境靜電電荷的變化。我們同時(shí)還發(fā)布了首款雙滿(mǎn)量程壓力傳感器：LPS22DF和LPS28DFW，功耗低至1.7 μA，絕對(duì)精度達(dá)到0.5 hPa；三軸加速度計(jì)LIS2DU12，功耗僅為0.45 μA。 LSM6DSV16X便攜式設(shè)備呼喚更高效的慣性傳感器盡管手機(jī)攝像頭的圖像質(zhì)量在不斷提升，制造商仍面臨
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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淺析基于量子成像的下一代甚高靈敏度圖像傳感器技術(shù)

高靈敏度探測(cè)成像是空間遙感應(yīng)用中的一個(gè)重要技術(shù)領(lǐng)域，如全天時(shí)對(duì)地觀測(cè)、空間暗弱目標(biāo)跟蹤識(shí)別等應(yīng)用，對(duì)于甚高靈敏度圖像傳感器的需求日益強(qiáng)烈。隨著固態(tài)圖像傳感器技術(shù)水平的不斷提高，尤其背照式及埋溝道等工藝的突破，使得固態(tài)圖像傳感器的靈敏度有了極大提升。固態(tài)高靈敏圖像傳感器，尤其是科學(xué)級(jí)CMOS圖像傳感器，憑借其體積小、集成度高及功耗低等優(yōu)勢(shì)，在空間高靈敏成像領(lǐng)域的應(yīng)用中異軍突起。盡管科學(xué)級(jí)CMOS圖像傳感器可以實(shí)現(xiàn)低照度高靈敏成像，但還遠(yuǎn)未達(dá)到單光子探測(cè)的輻射分辨能力。量子CMOS圖像傳感器的出現(xiàn)，對(duì)于拓寬空
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