3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

3D ToF相機(jī)于物流倉(cāng)儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉(cāng)儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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芯片巨頭ADI是如何成長(zhǎng)的？用“芯”架起物理與數(shù)字的橋梁，為科技向善“超越一切可能”

1. 2022年增長(zhǎng)了46%?2023年初，市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner發(fā)布了全球前20名半導(dǎo)體廠商的排名，從營(yíng)收漲跌幅來看，ADI（Analog Devices, Inc.）2022年?duì)I收同比增長(zhǎng)46%，在全球前20大半導(dǎo)體廠商中營(yíng)收增長(zhǎng)幅度最大（注：部分原因來自于2021年對(duì)Maxim的收購(gòu)）。而2022年全球半導(dǎo)體業(yè)市場(chǎng)表現(xiàn)低迷，據(jù)Garner統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)1.1%。 ? ? ? ? ? ? ? &nb
關(guān)鍵字： 202310 ADI 放大器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 DSP MEMS

3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計(jì)時(shí)，有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)？

MEMS加速度計(jì)對(duì)于檢測(cè)故障情況、幫助防止意外斷電或避免發(fā)生其他代價(jià)高昂的事件至關(guān)重要。作為一名負(fù)責(zé)為狀態(tài)監(jiān)控(CbM)應(yīng)用選擇和安裝合適傳感器的工程師，需要在做出選擇之前仔細(xì)考慮多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，然而這些參數(shù)常常被忽視。本文將討論您在做出選擇時(shí)應(yīng)特別留意的一些關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)。問題:為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計(jì)時(shí)，有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)？答案:在MEMS加速度計(jì)的選擇過程中，經(jīng)常被低估或忽視的關(guān)鍵參數(shù)有傳感器的量程、帶寬和諧振頻率。如果這些參數(shù)太低或僅能勉強(qiáng)滿足需求，將會(huì)導(dǎo)致測(cè)量效果不理想。簡(jiǎn)介MEMS加速
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面向CMUT陣元的阻抗匹配設(shè)計(jì)與聲場(chǎng)特性測(cè)試

電容式微機(jī)械超聲換能器（CMUT）是利用MEMS微加工技術(shù)制作的超聲換能器，具有低聲阻抗、寬帶寬、體積小等優(yōu)點(diǎn)。然而，相比于壓電式超聲換能器，CMUT存在發(fā)射靈敏度較低、輸出聲壓不夠高等問題。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，為了解決CMUT聲發(fā)射能力弱、輸出聲壓低的問題，中北大學(xué)研究人員根據(jù)CMUT工作原理與阻抗匹配理論設(shè)計(jì)了匹配電路，實(shí)現(xiàn)信號(hào)源端到CMUT的最大功率傳遞，以此提升CMUT的聲發(fā)射性能，為CMUT的實(shí)際應(yīng)用提供解決方案。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《傳感器與微系統(tǒng)》期刊。單個(gè)CMUT陣元由許多CMUT微元構(gòu)成，
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
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基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國(guó)上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)（上海）機(jī)器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Pickering推出新款基于MEMS的射頻開關(guān)模塊

與Menlo Microsystems的合作將新的開關(guān)技術(shù)引入PXI射頻多路復(fù)用開關(guān)，以顯著地提高性能。2023年6月26日，于英國(guó)Clacton-on-sea。Pickering Interfaces公司作為生產(chǎn)用于電子測(cè)試及驗(yàn)證領(lǐng)域的信號(hào)開關(guān)與仿真解決方案的主要廠商，于今日發(fā)布了一款采用新的開關(guān)技術(shù)的PXI/PXIe射頻多路復(fù)用開關(guān)模塊新產(chǎn)品。新款基于MEMS的射頻多路復(fù)用開關(guān)是無線通訊和半導(dǎo)體測(cè)試的理想選擇，與傳統(tǒng) EMR（電磁繼電器）開關(guān)相比，操作壽命大大延長(zhǎng)（高達(dá)300倍）、切換速度更快（高達(dá)6
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意法半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)MEMS防水壓力傳感器

■ 1260 hPa和4060 hPa雙量程絕對(duì)壓力氣壓計(jì)，數(shù)字輸出，Qvar?檢測(cè)技術(shù)，防水封裝■ 測(cè)量精度高，耐候性出色，適用于燃?xì)獗怼⑺?、天氣監(jiān)測(cè)、空調(diào)和家用電器2023年6月13日，中國(guó) – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)在工業(yè)市場(chǎng)上推出了首款 MEMS 防水/防液絕對(duì)壓力傳感器，納入十年供貨保證計(jì)劃。意法半導(dǎo)體 AMS MEMS 子產(chǎn)品部總經(jīng)理 Simone Ferri
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電容式MEMS壓力傳感器的優(yōu)化設(shè)計(jì)

由于MEMS壓力傳感器的制作過程中存在著許多不可控因素，例如，制備環(huán)境、工藝誤差、設(shè)備誤差等，因此，整個(gè)MEMS壓力傳感器的穩(wěn)健優(yōu)化設(shè)計(jì)是極其重要的。本文對(duì)電容式MEMS壓力傳感器進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，以期為后續(xù)研究開發(fā)電容式MEMS壓力傳感器奠定必要的基礎(chǔ)依據(jù)。
關(guān)鍵字： 202305 MEMS 壓力傳感器電容式優(yōu)化設(shè)計(jì)