3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體通過全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應(yīng)用開發(fā)者的創(chuàng)造力

意法半導(dǎo)體的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評估開發(fā)工具，與STM32微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切，支持Windows、MacOS和?Linux操作系統(tǒng)。從評估到配置和編程，通過整合統(tǒng)一傳感器開發(fā)流程，MEMS Studio?可以加快傳感器應(yīng)用軟件開發(fā)，簡化在開發(fā)項(xiàng)目中增加豐富的情境感知功能。增強(qiáng)的功能有助于應(yīng)用輕松獲取傳感器數(shù)據(jù)，并清晰地顯示可視化的傳感器數(shù)據(jù)，方便開發(fā)者探索傳感器工作模式，優(yōu)化傳感器性能和測量準(zhǔn)確度。軟件包中還有預(yù)構(gòu)建庫測試工具，以及方便的鼠
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Melexis MLX90830 Triphibian MEMS傳感器在貿(mào)澤開售

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開售Melexis的MLX90830?Triphibian? MEMS壓力傳感器。MLX90830采用懸臂設(shè)計(jì)，可測量各種環(huán)境下的氣體和液體壓力，精度高，可靠性強(qiáng)。該傳感器既可作為獨(dú)立器件使用，也可嵌入到電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)的膨脹閥、電子壓縮機(jī)或泵中，是HVAC-R應(yīng)用的理想選擇。Melexis?MLX90830傳感器是率先采用Triphibian
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超級(jí)詳細(xì)！17000字圖文讀懂常見MEMS傳感器的原理和構(gòu)造

MEMS傳感器是當(dāng)今最熱門的傳感器種類，MEMS技術(shù)使傳感器微型化、低功耗、集成化成為可能，是未來傳感器技術(shù)的發(fā)展方向之一。本文編譯自傳感器寶典——《現(xiàn)代傳感器手冊——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》，說明了MEMS電容式傳感器、MEMS觸覺傳感器、MEMS壓電式加速度計(jì)等常見傳感器的原理和構(gòu)造，可選自己感興趣的部分MEMS傳感器知識(shí)閱讀。如需《現(xiàn)代傳感器手冊——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》（美第五版，790P，PDF）一書電子文檔，可在傳感器專家網(wǎng)公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù)【現(xiàn)代傳感器手冊】獲取下載鏈接。本文內(nèi)容較全面，可按目錄獲取需要的
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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為什么仍然沒有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
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歷時(shí) 7 年研制，賽微電子 MEMS-OCS 光鏈路交換器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發(fā)布關(guān)于全資子公司 MEMS-OCS 啟動(dòng)量產(chǎn)的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)，簡稱為微機(jī)電系統(tǒng)）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗(yàn)證（工藝開發(fā)與試產(chǎn)的總耗費(fèi)時(shí)間超過 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發(fā)出的
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新ASIL C級(jí)雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動(dòng)踏板位置檢測**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型
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莫干山高新區(qū)高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)

浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著總投資5.4億元的高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，日前，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)悉，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司MEMS芯片制造項(xiàng)目總投資5.4億元，位于高新區(qū)城北園區(qū)的核心區(qū)域，占地74畝，新增建筑面積8.9萬平方米，項(xiàng)目一期建成6英寸晶圓高端MEMS芯片量產(chǎn)線，將進(jìn)一步優(yōu)化湖州市德清縣芯片制造產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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3D ToF相機(jī)于物流倉儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲(chǔ)現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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芯片巨頭ADI是如何成長的？用“芯”架起物理與數(shù)字的橋梁，為科技向善“超越一切可能”

1. 2022年增長了46%?2023年初，市場調(diào)研公司Gartner發(fā)布了全球前20名半導(dǎo)體廠商的排名，從營收漲跌幅來看，ADI（Analog Devices, Inc.）2022年?duì)I收同比增長46%，在全球前20大半導(dǎo)體廠商中營收增長幅度最大（注：部分原因來自于2021年對Maxim的收購）。而2022年全球半導(dǎo)體業(yè)市場表現(xiàn)低迷，據(jù)Garner統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體收入增長1.1%。 ? ? ? ? ? ? ? &nb
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3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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