3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺(jué)相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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意法半導(dǎo)體通過(guò)全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應(yīng)用開(kāi)發(fā)者的創(chuàng)造力

意法半導(dǎo)體的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評(píng)估開(kāi)發(fā)工具，與STM32微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切，支持Windows、MacOS和?Linux操作系統(tǒng)。從評(píng)估到配置和編程，通過(guò)整合統(tǒng)一傳感器開(kāi)發(fā)流程，MEMS Studio?可以加快傳感器應(yīng)用軟件開(kāi)發(fā)，簡(jiǎn)化在開(kāi)發(fā)項(xiàng)目中增加豐富的情境感知功能。增強(qiáng)的功能有助于應(yīng)用輕松獲取傳感器數(shù)據(jù)，并清晰地顯示可視化的傳感器數(shù)據(jù)，方便開(kāi)發(fā)者探索傳感器工作模式，優(yōu)化傳感器性能和測(cè)量準(zhǔn)確度。軟件包中還有預(yù)構(gòu)建庫(kù)測(cè)試工具，以及方便的鼠
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Melexis MLX90830 Triphibian MEMS傳感器在貿(mào)澤開(kāi)售

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開(kāi)售Melexis的MLX90830?Triphibian? MEMS壓力傳感器。MLX90830采用懸臂設(shè)計(jì)，可測(cè)量各種環(huán)境下的氣體和液體壓力，精度高，可靠性強(qiáng)。該傳感器既可作為獨(dú)立器件使用，也可嵌入到電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)的膨脹閥、電子壓縮機(jī)或泵中，是HVAC-R應(yīng)用的理想選擇。Melexis?MLX90830傳感器是率先采用Triphibian
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超級(jí)詳細(xì)！17000字圖文讀懂常見(jiàn)MEMS傳感器的原理和構(gòu)造

MEMS傳感器是當(dāng)今最熱門的傳感器種類，MEMS技術(shù)使傳感器微型化、低功耗、集成化成為可能，是未來(lái)傳感器技術(shù)的發(fā)展方向之一。本文編譯自傳感器寶典——《現(xiàn)代傳感器手冊(cè)——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》，說(shuō)明了MEMS電容式傳感器、MEMS觸覺(jué)傳感器、MEMS壓電式加速度計(jì)等常見(jiàn)傳感器的原理和構(gòu)造，可選自己感興趣的部分MEMS傳感器知識(shí)閱讀。如需《現(xiàn)代傳感器手冊(cè)——原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》（美第五版，790P，PDF）一書電子文檔，可在傳感器專家網(wǎng)公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù)【現(xiàn)代傳感器手冊(cè)】獲取下載鏈接。本文內(nèi)容較全面，可按目錄獲取需要的
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
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為什么仍然沒(méi)有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開(kāi)端，但接下來(lái)的步驟要困難得多。
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歷時(shí) 7 年研制，賽微電子 MEMS-OCS 光鏈路交換器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發(fā)布關(guān)于全資子公司 MEMS-OCS 啟動(dòng)量產(chǎn)的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)，簡(jiǎn)稱為微機(jī)電系統(tǒng)）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗(yàn)證（工藝開(kāi)發(fā)與試產(chǎn)的總耗費(fèi)時(shí)間超過(guò) 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發(fā)出的
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤位置檢測(cè)、油門和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
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莫干山高新區(qū)高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)

浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開(kāi)業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著總投資5.4億元的高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，日前，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開(kāi)業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)悉，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司MEMS芯片制造項(xiàng)目總投資5.4億元，位于高新區(qū)城北園區(qū)的核心區(qū)域，占地74畝，新增建筑面積8.9萬(wàn)平方米，項(xiàng)目一期建成6英寸晶圓高端MEMS芯片量產(chǎn)線，將進(jìn)一步優(yōu)化湖州市德清縣芯片制造產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議。●? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
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