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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠(chǎng)商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠(chǎng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見(jiàn)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車(chē)智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿(mǎn)足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專(zhuān)注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟?lèi)的生活和工作方式。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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ST發(fā)布多款新型MEMS傳感器，突破性能功耗比，解鎖可穿戴應(yīng)用新場(chǎng)

意法半導(dǎo)體即將發(fā)布一系列具有更高的性能功耗比的新型傳感器。LSM6DSV16X是具有機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核的MEMS慣性傳感器的最新成員，具有更高精確度和更低功耗。此外，Qvar靜電感測(cè)也首次集成于這類(lèi)器件，能夠監(jiān)測(cè)環(huán)境靜電電荷的變化。我們同時(shí)還發(fā)布了首款雙滿(mǎn)量程壓力傳感器：LPS22DF和LPS28DFW，功耗低至1.7 μA，絕對(duì)精度達(dá)到0.5 hPa；三軸加速度計(jì)LIS2DU12，功耗僅為0.45 μA。 LSM6DSV16X便攜式設(shè)備呼喚更高效的慣性傳感器盡管手機(jī)攝像頭的圖像質(zhì)量在不斷提升，制造商仍面臨
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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淺析基于量子成像的下一代甚高靈敏度圖像傳感器技術(shù)

高靈敏度探測(cè)成像是空間遙感應(yīng)用中的一個(gè)重要技術(shù)領(lǐng)域，如全天時(shí)對(duì)地觀(guān)測(cè)、空間暗弱目標(biāo)跟蹤識(shí)別等應(yīng)用，對(duì)于甚高靈敏度圖像傳感器的需求日益強(qiáng)烈。隨著固態(tài)圖像傳感器技術(shù)水平的不斷提高，尤其背照式及埋溝道等工藝的突破，使得固態(tài)圖像傳感器的靈敏度有了極大提升。固態(tài)高靈敏圖像傳感器，尤其是科學(xué)級(jí)CMOS圖像傳感器，憑借其體積小、集成度高及功耗低等優(yōu)勢(shì)，在空間高靈敏成像領(lǐng)域的應(yīng)用中異軍突起。盡管科學(xué)級(jí)CMOS圖像傳感器可以實(shí)現(xiàn)低照度高靈敏成像，但還遠(yuǎn)未達(dá)到單光子探測(cè)的輻射分辨能力。量子CMOS圖像傳感器的出現(xiàn)，對(duì)于拓寬空
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如何能夠更容易地建立基于MEMS的解決方案呢？

對(duì)于使用電機(jī)、發(fā)電機(jī)和齒輪等的機(jī)械設(shè)備和技術(shù)系統(tǒng)，狀態(tài)監(jiān)控是當(dāng)前的核心挑戰(zhàn)之一。在最大限度降低生產(chǎn)停機(jī)風(fēng)險(xiǎn)這一方面，計(jì)劃性維護(hù)的重要性日益凸顯，不僅是在工業(yè)領(lǐng)域，在任何使用機(jī)械系統(tǒng)的地方均是如此。除此以外，本文還分析了機(jī)器的振動(dòng)模式。齒輪箱導(dǎo)致的振動(dòng)在頻域體現(xiàn)為軸速的倍數(shù)。不同頻率點(diǎn)的磨損、不平衡或松脫的部件等異常。我們通常使用基于MEMS （微機(jī)電系統(tǒng)）的加速度計(jì)來(lái)測(cè)量頻率。與壓電式傳感器相比，它們具有更高的分辨率、出色的漂移特性和靈敏度，以及更高的信噪比(SNR)，此外，還能檢測(cè)幾乎接近直流范圍的極
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MEMS壓力傳感器的原理是什么？

MEMS技術(shù)與產(chǎn)品MEMS技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)有：? 體積小，重量輕? 量程小，小到幾個(gè)kpa的壓力? 具有很高的精度? 可以做出絕壓、表壓、壓差，選擇柔性高? 更適合大批量和高效率的生產(chǎn)MEMS產(chǎn)品是采用MEMS技術(shù)將感壓?jiǎn)卧托盘?hào)處理芯片集成在一個(gè)只有幾毫米的MEMS芯片上，后期進(jìn)行必要的封裝而來(lái)。MEMS產(chǎn)品在我們的生活中隨處可見(jiàn)，如電子血壓計(jì)里面的感壓?jiǎn)卧?，手機(jī)麥克風(fēng)，數(shù)碼相機(jī)的光學(xué)防抖所用的陀螺儀等。MEMS測(cè)量壓力的原理MEMS測(cè)量壓力的原理是在感壓
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MEMS器件的仿真優(yōu)化：降低微鏡的阻尼損耗

微鏡有兩個(gè)主要的優(yōu)點(diǎn)：低功耗和低制造成本。因此，許多行業(yè)將微鏡廣泛用于 MEMS 應(yīng)用。為了在設(shè)計(jì)微鏡時(shí)節(jié)省時(shí)間和成本，工程師可以通過(guò) COMSOL 軟件準(zhǔn)確計(jì)算熱阻尼和粘滯阻尼，并分析器件的性能。微鏡的廣泛應(yīng)用將微鏡想象成吉他上的一根弦，弦很輕很細(xì)，當(dāng)你撥動(dòng)它時(shí)，周?chē)諝鈺?huì)抑制弦的運(yùn)動(dòng)，使它回到靜止?fàn)顟B(tài)。微鏡具有廣泛的潛在應(yīng)用。比如，微鏡可用于控制光學(xué)元件，由于具有這種功能，它們?cè)陲@微鏡和光纖領(lǐng)域非常有用。微鏡常用于掃描儀、平視顯示器和醫(yī)學(xué)成像等領(lǐng)域。此外，MEMS 系統(tǒng)有時(shí)還將集成掃描微鏡系統(tǒng)用于消費(fèi)
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一文看懂 MEMS技術(shù)的前世今生

什么是MEMS？微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），在歐洲也被稱(chēng)為微系統(tǒng)技術(shù)，在日本則被稱(chēng)為微機(jī)械，是一類(lèi)尺寸很小且制造方式特別的器件。MEMS器件的典型長(zhǎng)度從1毫米到1微米不等，比人類(lèi)頭發(fā)的直徑還小很多倍。MEMS往往會(huì)采用常見(jiàn)的機(jī)械零件和工具所對(duì)應(yīng)的微觀(guān)模擬元件，例如它們可能包含通道、孔、懸臂、膜、腔以及其它結(jié)構(gòu)。然而，MEMS器件加工技術(shù)并非機(jī)械式。相反，它們采用類(lèi)似于集成電路批量處理的微制造技術(shù)。今天有很多產(chǎn)品都利用了MEMS技術(shù)，如微換熱器、噴墨打印頭、高清投影儀的微鏡陣列、壓力傳感器以及紅外探測(cè)器等。為什
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MEMS傳感器應(yīng)用廣泛的四大領(lǐng)域

MEMS全稱(chēng)Micro Electromechanical System，即微機(jī)電系統(tǒng)，是將微電子與精密機(jī)械結(jié)合發(fā)展的工程技術(shù)，尺寸在1微米到100微米量級(jí)，核心功能是將物理信號(hào)轉(zhuǎn)換為電子設(shè)備能夠識(shí)別的電信號(hào)，主要用于傳感器。MEMS繼承了集成電路的先進(jìn)制造工藝，相比傳統(tǒng)產(chǎn)品，具有微型化、成本低、效能高、可大批量生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)能高，良品率高。微米量級(jí)的特征尺寸使MEMS傳感器可以輕松勝任某些傳統(tǒng)機(jī)械傳感器所不能實(shí)現(xiàn)的功能，是微型傳感器的主力軍，正加速應(yīng)用于大眾生活及工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)方面。作為獲取信息的關(guān)鍵入
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