3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

固態(tài)硬盤每GB容量?jī)r(jià)格將跌破1美元

　　1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低，每 GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。　　隨著Intel Ivy Bridge處
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NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
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全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元

　　據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額達(dá)到了34.6%。　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長(zhǎng)了大約5%，而平均銷售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲(chǔ)卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對(duì)閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。　　集邦科技指出，三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

　　外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績(jī)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達(dá)1,675億韓元，遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達(dá)1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預(yù)期Hynix Q4
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蘋果去年買進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購(gòu)量，蘋果拿到的成本價(jià)格可說是出乎意料之外的低。　　Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達(dá)14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購(gòu)買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價(jià)格為0.6
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東芝、爾必達(dá)再談?wù)?/a>

　　日系DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)身陷財(cái)務(wù)風(fēng)暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談?wù)鲜乱?。?duì)此東芝和爾必達(dá)高層都不予置評(píng)。　　近期再度傳出爾必達(dá)與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關(guān)鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動(dòng)裝置上，需要與爾必達(dá)Mobile RAM結(jié)合，才能打敗美韓陣營(yíng)，雙方確實(shí)有接觸洽談?wù)鲜乱?，但東芝對(duì)于重返DRAM領(lǐng)域意愿不高，另外，日本政府亦認(rèn)為，DRAM市場(chǎng)雖萎縮，但技術(shù)必須傳承，有意促使兩大半導(dǎo)體廠整合。

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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

　　力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力晶仍會(huì)保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì)以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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回補(bǔ)庫(kù)存下滑 NAND Flash合約價(jià)格持續(xù)走低

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，因?yàn)殡S身碟與記憶卡市場(chǎng)銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)與平板計(jì)算機(jī)銷售不如預(yù)期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補(bǔ)庫(kù)存力道疲弱，連帶影響合約價(jià)格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價(jià)將再下跌約4-8%。　　展望NAND Flash后市，集邦科技認(rèn)為，雖然泰國(guó)水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時(shí)增加，但SSD仍存在著與HHD價(jià)差大及SSD機(jī)種認(rèn)證程序尚需2-3個(gè)月等問題，因此，預(yù)
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9月上旬NAND Flash合約價(jià)出現(xiàn)穩(wěn)定格局

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫(kù)存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
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ultrabook帶來(lái)新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)疲軟，所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場(chǎng)供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國(guó)三星電子。
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國(guó)三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場(chǎng)，如表1所示。　
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出貨不如預(yù)期閃存芯片價(jià)格小幅下跌

　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫(kù)存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。　
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下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(zhǎng)或趨緩

　　在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì)中，SanDisk公司的技術(shù)長(zhǎng)Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長(zhǎng)趨緩。市場(chǎng)原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長(zhǎng)可能需要再評(píng)估。　
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