3d-nand 文章 進入3d-nand技術(shù)社區(qū)
c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計
- 行動運算產(chǎn)品市場持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計,目前相關(guān)設(shè)計多使用整合晶片減少元件用量,對于異質(zhì)核心的封裝整合,若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會造成成品元件仍具一定程度占位面積,必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進行元件整合的積極微縮設(shè)計… 矽晶片的制程技術(shù),一直是推進行動終端產(chǎn)品躍進式升級、改善的關(guān)鍵驅(qū)動力,以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進行整合,目前已經(jīng)產(chǎn)生簡化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的,但隨著使用者對于行動裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高,
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道康寧加盟EV集團開放平臺
- 全球MEMS(微電子機械系統(tǒng))、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場晶圓鍵合及光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(EVG)今天宣布,道康寧公司已加入該集團的“頂尖技術(shù)供應(yīng)商”網(wǎng)絡(luò),為其室溫晶圓鍵合及鍵合分離平臺——LowTemp?平臺的開發(fā)提供大力支持。道康寧是全球領(lǐng)先的有機硅及硅技術(shù)創(chuàng)新企業(yè),此次加盟EVG這個業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)堪稱此前雙方緊密合作的延續(xù),之前的合作包括對道康寧的簡便創(chuàng)新雙層臨時鍵合技術(shù)進行嚴格的測試。今年7月,EVG推出全新的LowTemp公開平臺,并
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盧超群:往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個大多頭
- 臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長暨鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示,今年將是3D IC從研發(fā)到導(dǎo)入量產(chǎn)的關(guān)鍵年,3D IC元年最快明年來臨,往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個大多頭,重現(xiàn)1990年代摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的爆發(fā)性成長。 隨著矽元件趨近納米極限,摩爾定律開始遭遇瓶頸,各界期盼立體堆疊3D IC技術(shù)延續(xù)摩爾定律 存儲器芯片設(shè)計公司鈺創(chuàng)董事長盧超群上半年接任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長,他希望透過協(xié)會的影響力,帶領(lǐng)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與各項國際半導(dǎo)體規(guī)格制定、提升人才參與及素質(zhì),并讓國內(nèi)外科技投
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國際半導(dǎo)體展 聚焦3D IC綠色制程
- SEMICON Taiwan 2013國際半導(dǎo)體展下月起跑,今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit,立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機械及系統(tǒng)級封裝等為主題,另有LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極體)制程特展,同時也將舉辦15場國際論壇及邀請多家知名企業(yè)主參與,預(yù)料將成注目焦點。 國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)指出,今
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搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位
- 三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂,導(dǎo)致晶圓廠與封測業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過,近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設(shè)備與材料解決方案,有助突破3DIC生產(chǎn)瓶頸,并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率,讓成本盡快達到市場甜蜜點。 工研院材化所高寬頻先進構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍強調(diào),3DIC材料占整體制程成本三成以上,足見其對終端晶片價格的影響性。 工研院材化所高寬頻先進構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍表示,高昂成本向來是3DIC
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三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。 三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴產(chǎn) 力成進補
- 不讓韓國三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。 研究機構(gòu)統(tǒng)計,去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
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半導(dǎo)體廠談3D IC應(yīng)用
- 半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化,集成不同芯片堆疊而成的3D IC將成為主流發(fā)展趨勢。2.5D IC從設(shè)計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒,今年最重要的課題即在于如何提升其量產(chǎn)能力,以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產(chǎn)。 SiP Global Summit 2013(系統(tǒng)級封測國際高峰論壇)將于9月5日至6日與臺灣最大半導(dǎo)體專業(yè)展覽SEMICON Taiwan 2013(國際半導(dǎo)體展)同期登場,特別邀請臺積電、日月光、矽品、欣興電子、Amkor、Qualcomm、STATS C
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SEMI:3D IC最快明年可望正式量產(chǎn)
- 國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)指出,半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化,整合不同晶片堆疊而成的3D IC(立體堆疊晶片)將成為主流發(fā)展趨勢,2.5D IC從設(shè)計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒,以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產(chǎn)。 SEMI臺灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示,2.5D及3D IC制程解決方案已經(jīng)逐漸成熟,產(chǎn)業(yè)界目前面臨最大的挑戰(zhàn)是量產(chǎn)能力如何提升,業(yè)界預(yù)估明后
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Stratasys主席兼CIO獲制造工程師學會頒發(fā)的行業(yè)杰出成就獎
- 全球 3D 打印領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)、快速原型與快速制造的引領(lǐng)者—Stratasys公司(納斯達克代碼:SSYS)非常榮幸地宣布其董事會主席兼研發(fā)負責人Scott Crump于6月12日被制造工程師學會(Society of Manufacturing Engineers SME)授予快速成型技術(shù)及增材制造(RTAM)行業(yè)杰出成就獎(the Rapid Technologies and Additive Manufacturing Industry Achievement Award)。
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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