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基于3D全息投影技術(shù)助力遠(yuǎn)程醫(yī)療
- 加拿大皇后大學(xué)人類媒體實(shí)驗(yàn)室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備,能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實(shí)。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會(huì)議.
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基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)
- 近日科學(xué)家為身在國際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實(shí)3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實(shí)世界之上的虛擬圖像,后者能夠輔助宇航員獨(dú)自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
- 關(guān)鍵字: 3D 太空手術(shù) 創(chuàng)新技術(shù)
移動(dòng)通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新
- 隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長,移動(dòng)寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動(dòng)寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年,全球移動(dòng)用戶連 接數(shù)預(yù)計(jì)將達(dá)到70億,覆蓋全球96%以上的人口,其中3G和4G移動(dòng)用戶連接數(shù)之和也將達(dá)到24億,占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長。
- 關(guān)鍵字: 移動(dòng)通信 天線技術(shù) 創(chuàng)新 3D-MIMO 波束智能賦型
3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土,共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤,并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。 市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出,三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
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迎需求熱潮!三星或追投西安3D NAND廠43億美元
- 據(jù)海外媒體報(bào)道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲(chǔ)器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議,2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度,而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度,而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧
- 摘要:由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國公司介入存儲(chǔ)芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目,其中國家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工,整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國公司介入存儲(chǔ)芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目,其中國家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓
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