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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3nm finfet

三星新一代FinFET制程可望擄獲高通？

  • 　　一直在先進(jìn)制程晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺(tái)積電(TSMC)激烈競(jìng)爭(zhēng)的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。 　　香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻(xiàn)所有臺(tái)積電訂單的近兩成，到2017年之后會(huì)將大多數(shù)10/14奈米訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會(huì)是未來(lái)高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)
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AMD：14納米FinFET將進(jìn)入GPU市場(chǎng) 年中進(jìn)入量產(chǎn)

  • 　　盡管GPU(繪圖處理器)市場(chǎng)剩下AMD與NVIDIA兩大供應(yīng)商，但在先進(jìn)技術(shù)的投入上，仍然沒(méi)有手軟過(guò)。 　　AMD的GPU主力產(chǎn)品Radeon系列，在去年推出導(dǎo)入HBM(高頻寬記憶體)技術(shù)后，引來(lái)市場(chǎng)關(guān)注。AMD又在今天發(fā)布Radeon新一代的產(chǎn)品Polaris架構(gòu)，采用14奈米FinFET制程，目前已經(jīng)送樣給主要的OEM客戶(hù)，預(yù)計(jì)在今年年中進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)程，該產(chǎn)品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實(shí)境)與桌上型電腦等領(lǐng)域。 　　據(jù)AMD資深副總裁Raja Koduri公開(kāi)表示，Polaris架構(gòu)有別于過(guò)往
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手
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臺(tái)積電16nm好過(guò)三星14nm的真相

  • 最近，關(guān)于iPhone6s A9處理器版本的事情的話(huà)題很熱，最后都鬧到蘋(píng)果不得不出來(lái)解釋的地步，先不評(píng)判蘋(píng)果一再?gòu)?qiáng)調(diào)的整機(jī)綜合續(xù)航差2~3%的準(zhǔn)確性，但是三星14nm工藝相比臺(tái)積電16nm工藝較差已經(jīng)可以說(shuō)是板上釘釘?shù)氖铝恕?/li>
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Intel憑何獨(dú)步天下!

  • Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚(yáng)過(guò)，整個(gè)世界也都承認(rèn)，無(wú)與倫比的先進(jìn)制造工藝是這家芯片巨頭永遠(yuǎn)令人眼紅的優(yōu)勢(shì)。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時(shí)候仍然是這個(gè)地球上最先進(jìn)的。其他半導(dǎo)體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時(shí)，Intel仍在堅(jiān)持獨(dú)行，仍在引領(lǐng)世界。
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FinFET 全面攻占 iPhone！五分鐘讓你看懂 FinFET

  • 這一年來(lái)半導(dǎo)體最熱門(mén)的新聞，大概就屬FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國(guó)際大廠趨之若騖呢? 　　
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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AMD終于用上了FinFET工藝

  • 　　這么多年，新工藝一直是AMD的痛點(diǎn)。早年自己生產(chǎn)進(jìn)展跟不上，現(xiàn)在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺(tái)積電都跑去抱蘋(píng)果的大腿了，導(dǎo)致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。 　　不過(guò)在昨日的財(cái)務(wù)會(huì)議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，進(jìn)展順利，接下來(lái)就可以去投產(chǎn)了。 　　她并沒(méi)有說(shuō)具體是哪兩款產(chǎn)品(估計(jì)會(huì)是新架構(gòu)ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰(shuí)，臺(tái)積電16nm、GF14nm都有
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探秘大基金，下一個(gè)投資目標(biāo)瞄準(zhǔn)了誰(shuí)？

  • 　　自去年國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱(chēng)大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務(wù)。正是因?yàn)?ldquo;手握重金”，坊間對(duì)于大基金的傳言不絕于耳。更有業(yè)者擔(dān)心大基金的投資會(huì)不會(huì)遍地開(kāi)花，甚至?xí)Я酥袊?guó)整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)。據(jù)最接近大基金的業(yè)內(nèi)資深人士透露，這個(gè)擔(dān)心是多余的，大基金的“國(guó)家戰(zhàn)略+市場(chǎng)化運(yùn)營(yíng)”的機(jī)制以及股權(quán)投資基金業(yè)的游戲規(guī)則決定了它不會(huì)這么干! 　　市場(chǎng)上的私募股權(quán)投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無(wú)非是它有了
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哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國(guó)時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設(shè)計(jì)而強(qiáng)化了14nm FinFET的設(shè)計(jì)架構(gòu)

  • 　　GLOBALFOUNDRIES，世界先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開(kāi)發(fā)的強(qiáng)化過(guò)的設(shè)計(jì)架構(gòu)，在幫助那些采用先進(jìn)工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的客戶(hù)的進(jìn)程上達(dá)到了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。 　　GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開(kāi)發(fā)出的新型設(shè)計(jì)流程，實(shí)現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，形成一個(gè)數(shù)字設(shè)計(jì)“入門(mén)套件”，為設(shè)計(jì)人員進(jìn)行物理實(shí)
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14納米FinFET制程略勝一籌 全球晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)暗潮洶涌

  • 　　雖然臺(tái)積電仍是全球晶圓代工市場(chǎng)的龍頭大廠，但為牽就蘋(píng)果(Apple)這個(gè)大客戶(hù)，內(nèi)部壓寶16納米、20納米設(shè)備可以大部互通的產(chǎn)能擴(kuò)充彈性?xún)?yōu)勢(shì)，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍(lán)圖。 　　反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋(píng)果仍可喂飽臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能，但臺(tái)積電客戶(hù)結(jié)構(gòu)從以IC設(shè)計(jì)公司為主，變成以系統(tǒng)廠獨(dú)霸半遍天，加上主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也開(kāi)始爭(zhēng)取到重要
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三星14納米FinFET處理器揭密

  • 　　Exynos 7420已經(jīng)將與英特爾在2014年10月發(fā)表第一款14奈米Broadwell 處理器5Y70的差距縮小。
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Synopsys Galaxy設(shè)計(jì)平臺(tái)支撐了90%的FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn)

  • 　　亮點(diǎn)： 　　 Galaxy Design Platform設(shè)計(jì)平臺(tái)被用于90%的FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn) 　　 強(qiáng)勁的平臺(tái)采用率彰顯了Synopsys在FinFET數(shù)字和定制設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)工具領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)先性 　　 所有的FinFET晶圓代工廠都已經(jīng)使用并認(rèn)證了Galaxy Design Platform 　　新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 設(shè)計(jì)平臺(tái)支撐了90%基于FinFET設(shè)計(jì)的量產(chǎn)流
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