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爭(zhēng)搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計(jì)將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。 　　FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀

  • 　　英格蘭錫爾--(美國(guó)商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢(shì)中受益。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
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英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀

  • 　　根據(jù)美國(guó)商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢(shì)中受惠。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展場(chǎng)中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
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晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽

  • 　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。 　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處處長(zhǎng)黃克勤提到，各家廠商在16/
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縮短開發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

  • 　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入FinFET世代的共通策略。 　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處處長(zhǎng)黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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FinFET改變戰(zhàn)局 臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

  • 　　晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強(qiáng)化在FinFET市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀提到，今年臺(tái)積電雖屢創(chuàng)季營(yíng)收新高，但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，臺(tái)積電在20奈米(nm)市場(chǎng)仍未看到具威脅性的對(duì)
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聯(lián)華與新思攜手 加速聯(lián)華電子14奈米FinFET制程研發(fā)

  • 聯(lián)華電子與全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造提供軟件、IP與服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare?邏輯庫的IP組合及 Galaxy?實(shí)作平臺(tái)的一部分-寄生StarRC?萃取方案，成功完成了聯(lián)華電子第一個(gè)14奈米FinFET制程驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)定案。
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聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)

  • 聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。
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里昂喊買臺(tái)積電 先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標(biāo)價(jià)上看140元

  • 　　里昂證券出具報(bào)告表示，看好臺(tái)積電(2330-TW)先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預(yù)估其資本支出將再2014年達(dá)到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴(kuò)張，但2015年將會(huì)衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報(bào)率，給予買進(jìn)，并將目標(biāo)價(jià)從126元上調(diào)140元。 　　FinFET制程部分，里昂證券指出，F(xiàn)inFET技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù)，結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2015年前，積極搶進(jìn)16奈米FinFET晶片制造 　　里昂證券也指
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16納米/14納米FinFET技術(shù)：最新最前沿的電子技術(shù)

  • FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢(shì)。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術(shù)，同時(shí)許多晶圓廠也正在準(zhǔn)備16納米或14納米的FinFET工藝。
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ARM與臺(tái)積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑

  • 　　ARM 與晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術(shù)生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進(jìn)一步提升未來行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運(yùn)算應(yīng)用的產(chǎn)品，此次合作展現(xiàn)了雙方在臺(tái)積公司FinFET制程技術(shù)上，共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。 　　藉由 ARM Artisan 實(shí)體IP、臺(tái)積電記憶體巨集以及開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innov
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三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

  • 　　亮點(diǎn)： 　　該里程碑有助于加速對(duì)FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC) 　　該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) 　　測(cè)試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲(chǔ)器的成功采用 　　為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵
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三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化

  • 　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。 　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測(cè)試芯片。 　　三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動(dòng)環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案

  • 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對(duì)高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點(diǎn)而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 　　就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對(duì)后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對(duì)此一趨勢(shì)，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術(shù)在先進(jìn)半導(dǎo)
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

  • 　　聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。 　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì)是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場(chǎng)的最佳利器。 　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢(shì)必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，而此
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)電  處理器  14nm  FinFET  
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